產(chǎn)品中心

日本Rigaku X射線熒光分析儀 WaferX 310, 通過(guò)X射線以大角度照射在鍍膜的硅片樣品上,產(chǎn)生鍍膜 樣品的相應(yīng)特征X射線的方法，進(jìn)而分析測(cè)量硅片樣品的 鍍膜厚度。

德國(guó)Sentech ICP-RIE等離子蝕刻機(jī)SI 500，8英寸的晶圓

SI 500-300多晶圓等離子刻蝕機(jī) 300 mm / 400 mm 載板，用于多片晶圓

德國(guó)Sentech 等離子刻蝕機(jī) SI 500 RIE，RIE 蝕刻機(jī)，最大 8 英寸晶圓, 帶可選的 ICP 源擴(kuò)展

德國(guó)Sentech 低溫等離子蝕刻機(jī) SI 500 C，最大 8 英寸晶圓，-150°C...+150°C

德國(guó)Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī) Etchlab 200，最大 8 英寸晶圓，硅及相關(guān)材料的蝕刻

德國(guó)Sentech 多晶圓等離子體反應(yīng)刻蝕機(jī) Etchlab 380，最大 300 mm 晶圓，用于多個(gè)晶圓的 380 mm 載體

德國(guó) Sentech 等離子刻蝕機(jī) SI 591， 所有材料的蝕刻，金屬濺射，亞微米蝕刻

德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 Depolab 200， 最大 8 英寸晶圓，高達(dá) 400°C 的基板溫度，低頻混合，300-500 kHz 可選

德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 SI 500 PPD,最大 8 英寸晶圓, 高達(dá) 350°C 的基板溫度, 低頻混合，300-500 kHz可選

德國(guó)Sentech PECVD沉積設(shè)備 SI 500 D，最大 8 英寸晶圓，RT....300/400°C 基板溫度

德國(guó)Sentech 原子層沉積設(shè)備 SI ALD / SI PEALD，在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實(shí)現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度，400/500°C 基板溫度

德國(guó)Sentech 原子層沉積設(shè)備 SI ADL LL/ SI PEALD LL,在 8 英寸晶圓和玻璃基板上實(shí)現(xiàn)高度均勻的薄膜厚度, 在具有高縱橫比的模型上進(jìn)行 3D保形沉積, 400/500°C

德國(guó)Sentech多腔體沉積鍍膜刻蝕設(shè)備,集群配置,所有等離子工具都可以排列在一個(gè)集群工具中。提供用于研發(fā)和高吞吐量生產(chǎn)的集群。通過(guò)單個(gè)晶圓裝載鎖和/或晶圓盒站裝載晶圓。

德國(guó)Sentech激光干涉儀 SLI 670，670 nm 波長(zhǎng)，光斑尺寸 100 μm，電動(dòng)載物臺(tái)，反射率和干涉模式

原位對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合機(jī)AWB-04, AWB-08,ROCK-04,ROCK-08 ，對(duì)準(zhǔn)+活化+鍵合，一站式完成，并具有納米壓印功能