• <strike id="cseqw"><noscript id="cseqw"></noscript></strike>
  • <strike id="cseqw"></strike>

    儀器網(wǎng)(yiqi.com)歡迎您!

    | 注冊(cè) 登錄
    網(wǎng)站首頁(yè)-資訊-專題- 微頭條-話題-產(chǎn)品- 品牌庫(kù)-搜索-供應(yīng)商- 展會(huì)-招標(biāo)-采購(gòu)- 社區(qū)-知識(shí)-技術(shù)-資料庫(kù)-方案-產(chǎn)品庫(kù)- 視頻

    產(chǎn)品中心

    當(dāng)前位置:儀器網(wǎng)>產(chǎn)品中心> 實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>制樣/消解設(shè)備>原子層沉積系統(tǒng)>臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD
    收藏  

    臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

    立即掃碼咨詢

    聯(lián)系方式:4008558699轉(zhuǎn)8120

    聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明在儀器網(wǎng)(www.vietnamtrade.org)上看到的!

    掃    碼    分   享
    為您推薦

    產(chǎn)品特點(diǎn)

    美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng),在小巧的機(jī)身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可zui 多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計(jì),使溫度均勻性高達(dá)99.9%,氣流對(duì)溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性優(yōu)于99%,而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋,可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500: 1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

    詳細(xì)介紹

    原子層沉積Atomic layer deposition, ALD)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此,它是一種真正的“納米”技術(shù),以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性,因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。 


    美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng),在小巧的機(jī)身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可多容納98英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計(jì),使溫度均勻性高達(dá)99.9%,氣流對(duì)溫度影響減少到0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在8英寸基體上實(shí)現(xiàn)膜厚的不均勻性優(yōu)于99%,而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋,可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500: 1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。


    GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn):

    * 300℃ 鋁合金熱壁,對(duì)流式溫度控制

    * 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶,200℃溫控輸運(yùn)支管

    * 可容納多片4,68英寸樣品同時(shí)沉積

    * 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

    * 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

    * 可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件

    * 等離子體輔助ALD插件

    * 多種配件可供選擇

    GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào):

    GEMStar XT

    * 大8英寸/200 mm基片沉積(4'和6' 可選)

    * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 4/8路前驅(qū)體瓶接口

    * 不可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

    GEMStar XT-R

    *8英寸(200mm)基片沉積(4'和6' 可選)

    * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

    * 可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

     

    GEMStar XT-P

    *8英寸/200mm基片沉積(4'和6 '可選)

    * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

    * 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

      13.56 MHz 的等離子源非常緊湊,只需風(fēng)冷, 高運(yùn)行功率達(dá)300W。

    * 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)(MFC)控制的等離子氣源線,和一條MFC控制的運(yùn)載氣體線,使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。



     新產(chǎn)品發(fā)布:  GEMStar NanoCUBE

    * 大100 mm 立方體樣品 沉積

    * 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 2路前驅(qū)體瓶接口

    * 主要用于3D多孔材料,以及厚樣品的沉積


    豐富配件:


    多樣品托盤(pán):

    * 多樣品夾具,樣品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。

    * 多基片夾具,多同時(shí)容納9片基片。

     

    溫控?zé)?/span>托盤(pán):

    * 可加熱樣品托盤(pán), 高溫度500℃,可實(shí)現(xiàn)熱盤(pán)-熱壁復(fù)合加熱方式。


    粉末沉積盤(pán):


     

    臭氧發(fā)生器:


     真空進(jìn)樣器(Load Lock)  晶振測(cè)厚儀 
     前驅(qū)體瓶:  前驅(qū)體加熱套 

    粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊:

    配合熱壁加熱方式,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

     

    手套箱接口:

    可從側(cè)面或背面wan美接入手套箱,與從底部接入手套箱不同,不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面,反應(yīng)過(guò)程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng),不影響手套箱內(nèi)溫度。

     





    應(yīng)用案例

     

    應(yīng)用領(lǐng)域

     

    國(guó)內(nèi)外用戶

                 

    已發(fā)表文獻(xiàn)

    Lo?c Assaud et al. Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b

    Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003

    HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd coreshell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 5968. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019

    Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.4882239

    Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal?Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957?10962. DOI: 10.1021/jp502669f

    Jeffrey B. Chou, et.al Enab領(lǐng) Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302.

    Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 63376345. DOI: 10.1021/nn402385f

    Pengcheng Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 6. DOI: 10.1002/anie.201303813

    Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 1012110128. DOI: 10.1021/nn404326f

    Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.023

    Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168

    ? Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.  


    技術(shù)文章

    廠商推薦產(chǎn)品

    在線留言

    換一張?
    取消
    精品无码在线,九九精品综合人人爽人妻,亚洲一区在线尤物,伊人网在线18禁
  • <strike id="cseqw"><noscript id="cseqw"></noscript></strike>
  • <strike id="cseqw"></strike>