ALD小型原子層沉積系統(tǒng)

原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

技術(shù)參數(shù)：

基片尺寸：4英寸、6英寸；

加熱溫度：25℃~350℃；

溫度均勻性：±1℃；

前體溫度范圍：從室溫至150℃，±2℃；可選擇加熱套；

前驅(qū)體數(shù)：一次同時可處理多達 5 個 ALD 前體源；

PLC 控制系統(tǒng)：7英寸16 位彩色觸摸屏HMI控制；

模擬壓力控制器：用于快速壓力檢測和脈沖監(jiān)測

樣品上載：將樣品夾具從邊上拉出即可；

壓力控制裝置：壓力控制范圍從0.1~1.5Torr

兩個氧化劑/還原劑源，如水，氧氣或氨氣；

在樣品上沒有大氣污染物，因為在沉積區(qū)的附近或上游處無 Elestamor O 型圈出現(xiàn);

氧化鋁催化劑處理能力：6-10 次/分鐘或高達 1.2 納米/ 分鐘（同類**）

高縱橫比沉積，具有良好的共形性

曝光控制，用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)所需的共形性；

預(yù)置有經(jīng)驗證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方；

簡單便捷的系統(tǒng)維護及安全聯(lián)鎖；

目前市面上占地最小，可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng)；

可以為非標準樣品而訂制的夾具，如 SEM / TEM 短截線

原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：

1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；

2)導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；

3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；

4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；

5)納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)；

6)生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；

7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；

8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；

9)透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

11) OLED鈍化層 (Al2O3);

12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；

14)電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

16)光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);

18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...  

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...  

5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...  

6）復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...  

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

主營產(chǎn)品： 

Laurell勻膠機     

Harrick等離子清洗機   

Uvitron紫外固化箱

NXQ紫外曝光光刻機       

Novascan紫外臭氧清洗機

Wenesco/EMS/Unitemp加熱板   

Kinematic程序剪切儀

Laurell EDC系統(tǒng)，濕站系統(tǒng)     

Wabash/Carver自動壓片機