全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)/VEECO

        原子層沉積系統(tǒng)ALD(熱型ALD)

• 產(chǎn)品介紹：

  Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購(gòu)，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全 球已安裝五百多臺(tái)ALD設(shè)備。

  
  

  方式: Thermal ALD (plasma option)

  優(yōu)勢(shì): 高性能，低成本，易于操作和維護(hù)

  薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等

  反應(yīng)腔體大小: S100: 可達(dá)100 mm / S200: 可達(dá)200 mm  / S300: 可達(dá)300 mm

  設(shè)備尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm

  操作模式: 連續(xù)模式(高速) / 曝光模式(超高深寬比)

  功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)

  zui高溫度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C

  沉積均一性: Al2O3：<1% (1σ)

  循環(huán)時(shí)間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

  兼容: 標(biāo)準(zhǔn)二端口，可增加至六端口。每一個(gè)源瓶均可放固態(tài)/液態(tài)/氣態(tài)前驅(qū)體，可獨(dú)立加熱至200°C

  閥門: 高速ALD閥門，10ms響應(yīng)

  前驅(qū)體源瓶: 獨(dú)立可加熱50ml不銹鋼氣瓶，可選擇更大容量

  載氣/排氣: N2，100SCCM

  原位分析選項(xiàng): 原位QCM, 原位橢便儀, 殘余氣體分析, LVPD, 批量生產(chǎn), 集成手套箱等, 臭氧發(fā)生器, 批量生產(chǎn), 自組裝單層膜(SAMs)顆粒鍍膜, 等離子體加強(qiáng)