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賽默飛 Volumescope 2 冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM
- 品牌:賽默飛
- 型號: Volumescope 2
- 產(chǎn)地:美洲 美國
- 供應(yīng)商報價:¥5000000
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上海愛儀通網(wǎng)絡(luò)科技有限公司
更新時間:2025-06-16 13:21:38
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銷售范圍售全國
入駐年限第4年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品SEM 掃描電子顯微鏡(37件)
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為您推薦
產(chǎn)品特點
- 簡單易用的技術(shù)
通過簡單易操作的技術(shù)對實驗進行控制??梢灾貜?fù)調(diào)用工作與系統(tǒng)設(shè)置,在采集過程中可以生成多個感興趣區(qū)域。
在采集過程中可視化與導(dǎo)航
在采集期間可以利用Thermo Scientific Amira Live Tracker軟件進行可視化和導(dǎo)航,優(yōu)化/控制結(jié)果。進行無人值守的大體積三維數(shù)據(jù)采集和重構(gòu)。
保護珍貴樣品
對一系列廣泛的樣品類型在每個采集步驟都有驗證過的解決方案;對于容易荷電的樣品可使用低真空探測器進行成像。
輕松快速更換顯微切片機
輕松快速地更換顯微切片機,可以通過使用Thermo Scientific Maps軟件實現(xiàn)自動斷層掃描。
詳細介紹
Volumescope 2 3D掃描電鏡適用于大體積連續(xù)切片成像
Thermo Scientific Volumescope 2 SEM掃描電鏡是先進的連續(xù)切片成像系統(tǒng)。通過易操作的掃描電鏡技術(shù)來推進實驗,且在每個步驟中都有對樣品進行保護的解決方案。
連續(xù)切片成像與多能量反卷積重構(gòu)相結(jié)合,使得SEM對樣品實現(xiàn)大體積成像
在自然背景下揭示細胞和組織的復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)對生物學(xué)和軟材料的結(jié)構(gòu)與功能關(guān)系的研究至關(guān)重要。連續(xù)切片SEM(SBF-SEM)是在掃描電鏡的真空艙中對塑料包埋的組織進行原位切片和成像,可實現(xiàn)大體積組織的自動3D重構(gòu),繼而完成大體積分析。一直以來軸向分辨率都會受到最小切片厚度的限制,現(xiàn)在通過多能量反卷積技術(shù)可以實現(xiàn)各方向相同的分辨率。
通過使用金剛刀對樣品進行原位切片后,可以通過不斷增大電壓對新鮮的切面組織進行多次成像,這些圖像隨后會進行反卷積計算,從而生成多個亞表層圖像構(gòu)成三維圖像的子集。通過重復(fù)這個循環(huán),Volumescope 2 SEM掃描電鏡可以獲取10nm Z軸分辨率的各向同性數(shù)據(jù)集。
揭示聚合物的微觀結(jié)構(gòu)
3D高分辨成像對了解聚合物材料的微觀結(jié)構(gòu)和特性至關(guān)重要。Volumescope 2 SEM掃描電鏡在樣品倉中將聚合物的原位切片與SEM成像全自動地結(jié)合在一起,實現(xiàn)了真正的大體積樣品三維重構(gòu)過程中的各方向分辨率的一致性。通過大體積樣品的可視化可以揭示不同微觀結(jié)構(gòu)對影響材料的整體特性的重要性。例如Volumescope 2 SEM可以重構(gòu)具有代表性的大體積濾膜樣品,獲取準確的傳輸特性模型,從而提升對新一代濾膜性能預(yù)測的準確性。
共混聚合物的三維連續(xù)切片成像。圖片顯示了122μmx122μmx10μm體積的完整數(shù)據(jù).右下角區(qū)域的分割圖像解釋了該區(qū)域的顆粒分布。感謝奧地利格拉茨FELMI-ZFE的Armnin Zankel博士提供樣品。
Volumescope 2 3D SEM的性能數(shù)據(jù)
電子光學(xué)系統(tǒng) 高分辨率場發(fā)射 掃描電鏡鏡筒
高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍
復(fù)合末端透鏡:靜電、無漏磁、浸沒式磁透鏡復(fù)合透鏡
兼具電磁透鏡和靜電透鏡的雙物鏡
離子源壽命 24 個月
自動化 自動烘烤
自動啟動
無需機械對中
自動加熱光闌
用戶指導(dǎo)和鏡筒預(yù)設(shè)功能
載物臺 雙載物臺掃描偏轉(zhuǎn)
電子束 連續(xù)電子束電流控制和優(yōu)化光闌
束流范圍:1 pA 至 400 nA
在連續(xù)切片成像 SEM 中:50 pA – 3.2 nA
著陸能量范圍:20 eV – 30 keV
加速電壓范圍:200 V – 30 kV
在連續(xù)切片成像 SEM 中:500 V – 6 kV
常規(guī) SEM 高真空成像最佳工作距離下的分辨率
在 30 keV STEM 下為 0.8 nm
在 15 keV 下為 0.7 nm
在 1 keV 下為 1.0 nm
樣品倉 內(nèi)寬:340 mm
分析工作距離:10 mm
端口:12
探測器 連續(xù)切片成像探測器
T1 鏡筒內(nèi)低位探測器
VS-DBS:低真空背散射電子探測器
T2 鏡筒內(nèi)中位探測器
Everhart-Thornley SE 檢測器 (ETD)
IR-CCD
低真空二次電子檢測器
STEM 3+ 分割式伸縮型探測器測器
提供額外檢測器
真空系統(tǒng) 完全無油的真空系統(tǒng)
1 × 220 l/s TMP
1 × PVP-scroll
2 × IGP
樣品倉真空(高真空)<6.3 × 10-6 mbar(泵工作 72 小時后)
低真空模式高達 50 Pa,可對不導(dǎo)電樣品進行電荷補償
抽真空時間:≤3.5 分鐘
樣品臺 標準多功能樣品臺;以獨特方式直接安裝在載物臺上;容納多達 18 個標準樣品托(直徑 12 mm)、三個預(yù)傾斜樣品托、兩個垂直和兩個預(yù)傾斜樣品臺
每個可選排桿能容納 6 個 S/TEM 載網(wǎng)
晶圓及定制樣品臺
有關(guān)完整的規(guī)格列表(包括軟件、配件和安裝要求摘要),請參閱數(shù)據(jù)表。
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