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    韓國CTS研發(fā)級CMP化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)

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    詳細(xì)介紹

    產(chǎn)品簡介 

        韓國CTS公司的AP200型CMP拋光機(jī)是一款科研級的CMP系統(tǒng),采用CTS公司工業(yè)級的CMP技術(shù),為科研工作者及先進(jìn)制程開發(fā)公司提供了一套研究級別的高端設(shè)備,可兼容4寸,6寸,8寸樣品.

    產(chǎn)品主要特色

    - CMP拋光頭:采用氣囊加載模式,核心區(qū),邊緣區(qū),保持環(huán)三區(qū)壓力控制,可得到良好的工業(yè)級拋光效果;

     

    - 自動上下片,自動拋光,干進(jìn)濕出;

    - 拋光墊修整器:擺臂式設(shè)計(jì),由10個(gè)傳感器分別控制10個(gè)區(qū)域的下壓力,可保證拋光墊高水平修整;

    - 拋光墊修整器:具有在線修整與離線修整兩種模式;

    - 工藝數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)監(jiān)測;

     

    - 可存儲多個(gè)Recipe。

    核心技術(shù)參數(shù)

    拋光頭

    兼容4寸,6寸,8寸

    拋光頭擺動范圍

    ±15mm

    拋光頭轉(zhuǎn)速

    0 ~ 200 rpm

    拋光頭加壓方式

    氣囊柔性加壓背壓功能(3區(qū)加壓)

    拋光頭壓力范圍

    0.14 ~ 14 psi

    拋光盤尺寸

    20英寸

    拋光盤轉(zhuǎn)速

    0 ~ 200 rpm

    蠕動泵

    2個(gè)

    拋光液流速

    20 ~ 500 cc/min

    拋光墊修整器分區(qū)

    10區(qū)

    拋光墊修整器在線掃描速度

    10sweeps/min

    拋光墊修整器下壓力

    3-20lbs

    拋光墊修整器轉(zhuǎn)速

    0-150rpm

    CMP后片內(nèi)非均勻性WIWNU

    1sigma,去邊5mm

    < 5%

    CMP后片間非均勻性WTWNU

    1sigma,去邊5mm

    < 3%

    儀器尺寸

    1000 × 2030 × 2100(W x L x H, mm)

    冷卻系統(tǒng)

    可選


    應(yīng)用

    - CMP工藝 Si CMP, 氧化物 CMP(BPSG, TEOS, ThOx), 金屬 CMP(W, Cu), 介質(zhì)膜,STI等

    - 工藝開發(fā) 可協(xié)助客戶進(jìn)行各類材料/薄膜等的CMP工藝技術(shù)開發(fā)

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