國儀量子電鏡在 RDL 再布線層線寬 / 線距測量的應(yīng)用報(bào)告
國儀量子電鏡在 RDL 再布線層線寬 / 線距測量的應(yīng)用報(bào)告
一、背景介紹
在先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域,再布線層(RDL)技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)芯片高性能、高集成度封裝的關(guān)鍵要素。隨著芯片制造工藝向更小尺寸推進(jìn),芯片引腳數(shù)量不斷增加,傳統(tǒng)的封裝互連方式難以滿足復(fù)雜的電氣連接需求。RDL 通過在芯片表面構(gòu)建一層或多層金屬布線,重新規(guī)劃電氣連接路徑,實(shí)現(xiàn)芯片與外部封裝引腳之間靈活且高效的互連。
RDL 的線寬與線距是決定封裝性能的核心參數(shù)。精確的線寬確保了電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性,合適的線距則能有效減少信號之間的串?dāng)_。若線寬偏差過大,可能導(dǎo)致電阻變化,影響信號傳輸?shù)耐暾?,引發(fā)信號延遲或失真。線距過窄,容易出現(xiàn)短路風(fēng)險(xiǎn);線距過寬,則會浪費(fèi)寶貴的芯片封裝面積,限制封裝密度的提升。RDL 線寬 / 線距受光刻、電鍍、刻蝕等多種制造工藝參數(shù)的綜合影響,如光刻曝光劑量、刻蝕時(shí)間與速率等。因此,精zhun測量 RDL 再布線層的線寬 / 線距,對優(yōu)化封裝工藝、提高芯片封裝質(zhì)量、推動半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展至關(guān)重要。
二、電鏡應(yīng)用能力
(一)微觀結(jié)構(gòu)成像
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力,能夠清晰呈現(xiàn) RDL 再布線層的微觀結(jié)構(gòu)。可精確觀察到布線的形狀,判斷其是否規(guī)則,邊緣是否整齊;呈現(xiàn)布線與周圍介質(zhì)的界面特征,確定界面是否清晰、平整。通過對微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)致成像,為準(zhǔn)確測量線寬 / 線距提供清晰的圖像基礎(chǔ)。例如,清晰的布線邊緣成像有助于確定測量線寬 / 線距的準(zhǔn)確位置。
(二)線寬 / 線距尺寸測量
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件,能夠?qū)?RDL 再布線層的線寬 / 線距進(jìn)行精確測量。在圖像上選取合適的測量點(diǎn),通過軟件算法計(jì)算線寬和線距的數(shù)值。對不同位置的多個布線進(jìn)行測量統(tǒng)計(jì),分析線寬 / 線距的一致性。例如,計(jì)算線寬 / 線距的平均值、標(biāo)準(zhǔn)差等統(tǒng)計(jì)量,評估其均勻性。精確的線寬 / 線距尺寸測量為工藝優(yōu)化提供量化數(shù)據(jù)支持,有助于判斷制造工藝是否滿足設(shè)計(jì)要求。
(三)尺寸與工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)研究
SEM3200 獲取的線寬 / 線距尺寸數(shù)據(jù),結(jié)合實(shí)際 RDL 制造工藝參數(shù),能夠輔助研究線寬 / 線距與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)。通過對不同工藝條件下 RDL 線寬 / 線距的對比分析,確定哪些工藝參數(shù)的變化對線寬 / 線距影響顯著。例如,發(fā)現(xiàn)光刻曝光劑量的微小調(diào)整會導(dǎo)致線寬發(fā)生明顯變化,為優(yōu)化 RDL 制造工藝參數(shù)提供依據(jù),以實(shí)現(xiàn)對線寬 / 線距的精zhun控制。
三、產(chǎn)品推薦
國儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是 RDL 再布線層線寬 / 線距測量的理想設(shè)備。它具有良好的分辨率,能清晰捕捉到 RDL 微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)微特征和線寬 / 線距變化。操作界面人性化,配備自動功能,大大降低了操作難度,即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手,高效完成測量任務(wù)。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠,長時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。憑借這些優(yōu)勢,SEM3200 為半導(dǎo)體封裝企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)提供了有力的技術(shù)支撐,助力優(yōu)化封裝工藝、提高芯片封裝質(zhì)量,推動半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。
標(biāo)簽:電子顯微鏡鎢燈絲掃描電鏡國產(chǎn)掃描電鏡
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