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MicroChem / Nippon Kayaku - 光刻膠

品牌：
型號： SU-8 2000/SU-8 3000
產地：美洲美國
供應商報價：面議

香港電子器材有限公司更新時間：2025-06-13 09:45:10

銷售范圍售全國

入駐年限第10年

營業(yè)執(zhí)照已審核

同類產品光刻膠/光刻膠干膜(13件)

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詳細介紹

產品簡介

Microchem的產品分類: Application Note (pdf)

SU-8 2000 and 3000 series Resists
KMPR 1000 Photoresist
PMGI and LOR Resists
PMMA Resist
Ancillaries
MicroSpray

SU-8 2000 系列
- 厚度范圍，單層涂膠厚度為 0.5 to > 200 μm
- 高深寬比：>10:1
- 更多揮發(fā)性溶劑，與傳統(tǒng)去邊工藝兼容
- 降低了極性溶劑含量減小表面張力
- 表面活性成分，改善涂覆效果
- 多用于MEMS，鈍化層應用LED 微流以及光電子器件制作

SU-8 3000 系列
SU-8 3000常用于性結構制作，較SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工藝過程中產生內應力積累。

高深寬比：>5:1。常用于光電器件，MEMS芯片制作，以及作為芯片絕緣、保護層使用。

相關溶液：
稀釋劑：SU-8 Thiner,
顯影液：SU-8 Developer
去膠劑：Remover PG，
增附劑：OmniCoat

10μm features in 50μm SU-8 3000 (contact expose)
Source: MicroChem

內應力對比圖

熱穩(wěn)定性和機械性能對比

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SU-8 3000 Data Sheet
FAQs
Table of Properties
Technical References: SU-8
Disclaimer

APPLICATIONS NOTES
Passivation
Microfluidics
　

KMPR系列
KMPR為負性光刻膠，具有與SU-8光刻膠相同的側壁效果與深寬比( >5:1 )，易于去除。常用于MEMS,電鑄，DRIE等。

相關溶液：
去膠：Remover PG
顯影：堿性 TMAH 2.38%，或有機 SU-8 developer

Material uses:

MEMS
DRIE
Electroplating
Permanent Structures

Material attributes:

High aspect ratio with vertical sidewalls
High chemical and plasma resistance
Greater than 100 μm film thickness in a single coat
Excellent adhesion to metals
Wet strips in conventional strippers
Excellent dry etch resistance

Plating

Permanent

Deep Etch

Plating (100 μM tall Ni posts, KMPR removed)

Electroformed Ni gear after stripping KMPR
Source: Univ. of Birmingham

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KMPR Data Sheet
Disclaimer

APPLICATIONS NOTES
Pixel Walls
Dielectric Layers
HAR Micro-plated structures

PMGI & LOR 底層去阻

PMGI與LOR去阻，可提高生產量。金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲和無線芯片的應用，以微機電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。

PMGI與LOR抵抗使產量高，金屬剝離處理中的各種從數(shù)據(jù)存儲和無線芯片的應用，以微機電系統(tǒng)。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4μm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種，以滿足幾乎所有客戶的需求。

Material uses:

Metal lift-off processing
Airbridge fabrication
Release layers

Material attributes:

不會混用時，過涂有光刻膠成像
雙層堆疊的TMAH或KOH開發(fā)單步發(fā)展
熱穩(wěn)定性高：TG?190℃
快速，干凈地消除在常規(guī)Resist stripper
啟用子.250微米微米的雙層光阻成像
可實現(xiàn)高產量，很厚的（>3μm）的金屬剝離處理

LOR雙層Lift-off專用光刻膠

高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝
undercut 結構可控，溶解速率易于調節(jié)
在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
與 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容
良好的耐熱穩(wěn)定性
去膠容易，剝離干凈

Bi-Layer Lift-Off Process Lift-Off: An enab領, additive lithographic process

GaAs Modulator with Al airbridge
Source: Nortel

PMGI used as a sacrificial layer on which the airbridge was built. The PMGI layer was subsequently removed with conventional resist removal processing.

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LOR / PMGI Data Sheet
FAQs
Product Selection Guide
Range of Products
Optimization of Bi-Layer Lift-off Resist Process

APPLICATION NOTES
Airbridges
T-Gate
Microlenses
Cantilevers
Microfluidics

PMMA光刻膠

PMMA正性抗蝕劑是基于特殊牌號聚甲基丙烯酸甲酯的目的是提供高對比度，高分辨率的電子束，遠紫外線（220-250nm的）和X-射線光刻工藝。此外，聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保護層中的III-V器件晶片減薄的應用程序。標準產品包括廣泛的氯苯配制的膜厚，或更安全的溶劑苯甲醚495000和950000的分子量（MW）。另外50,000，100,000，200,000和220萬兆瓦可根據(jù)要求提供。

共聚物的抗蝕劑是基于PMMA的?8.5％的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA 常用于與聚甲基丙烯酸甲酯組合在雙層剝離抗蝕劑工藝，其中的每一個光盤的大小和形狀的獨立控制抗蝕劑是必需的層。標準的共聚物的抗蝕劑被配制在更安全的溶劑乳酸乙酯和可在一個寬范圍的薄膜厚度的。此外，甲基丙烯酸甲酯（17.5）MAA共聚物的抗蝕劑可根據(jù)要求提供。

應用于 PMMA & Ccopolymer Resists （MMA (8.5)MAA)

T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack.

相關溶液:

電子束抗蝕劑：可用于電子束，X線，DUV曝光
特征尺寸：<0.1μm，多種分子量和固含量可選
與多數(shù)基底的粘附力非常好，亦適合多層涂覆工藝

顯影液 MIBK：IPA

分子量大?。?95K,950K，其它可選
溶劑：苯甲醚A或氯苯C
固含量：2%~11%，或其它可選。

用途：
電子束光刻，晶圓減薄，T-Gate等。

PMMA & Copolymer Resists:

PMMA Resist Data Sheet

應用：

Top Layer Construction Combined Layer Construction

LightLink Optical Waveguide Materials 光波導材料
Licensed from the Dow Chemical Company (陶氏化學授權)

LightLink?產品線是專為軟或硬基板上制造平面高分子光內連線而設計開發(fā). 本類矽氧烷材料展現(xiàn)光學特性和對熱及濕氣的穩(wěn)定性, 因此極為適合應用在光波導上. 對於其他有光學特性及環(huán)境穩(wěn)定性需求的應用亦有極高潛力. 產品應用:

多模傳輸(830-860 nm)
單模傳輸 (1300-1500 nm, 短路徑)
板級光互連

材料特色:

相容於目前制程設備
可使用微影定義圖形, 水系顯影劑, 支援1:1深寬比和10um解析力
對可見光及進紅外光有高穿透性
低光損達 0.05 dB/cm at 850 nm
低雙折射<0.0001 at 850 nm
優(yōu)越的環(huán)境及濕度可靠性
高機械強度

光波導制造流程概覽

步驟 1. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Clad

步驟 2. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Core

步驟 3. 曝光及曝後烤, 顯影LIGHTLINK? Core

步驟 4. 涂布及烘烤LIGHTLINK? Clad

Core structure on Silicon spin-coating, softbake

and mask lithography.
Source: MicroChem

Waveguide structure on FR4 PCB spin-coating,

softbake and mask lithography.
Source: MicroChem

PriElex? Jettable Polymeric Materials

PriElex?是一個新的具有功能性油墨的高分子材料，可用噴墨印刷的方式來制作電子元件。PriEl?x聚合油墨設計及噴墨特性的優(yōu)化，可適用於無光罩式微影、快速成型、和乾凈非接觸式印刷。比起其它一般光阻材料PriEl?x更為了噴墨性能，例如粘度、蒸發(fā)速率、表面張力、等待時間，耐熱穩(wěn)定性等來做特別開發(fā)。

MicroChem目前可提供XPPriEl?x SU-8 1.0，是一種可噴墨式的SU-8光阻材料，可用噴墨方式來制作單層或多層的結構。配合FUJIFILM Dimatix 材料噴墨機使用，可應用在微結構制造上。

目前還有其它功能性噴墨材料在研發(fā)中。

PriElex? SU-8 材料用途: