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ESS01 波長掃描式自動(dòng)變角度光譜橢偏儀

品牌：賽凡
型號(hào)： ESS01
產(chǎn)地：北京
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：面議

北京賽凡光電儀器有限公司更新時(shí)間：2024-06-04 16:00:14

銷售范圍售全國

入駐年限第10年

營業(yè)執(zhí)照

同類產(chǎn)品橢偏儀及配件(11件)

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詳細(xì)介紹

ESS01是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的波長掃描式、高精度自動(dòng)變?nèi)肷浣嵌裙庾V橢偏儀，此系列儀器波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外到遠(yuǎn)紅外。
ESS01采用寬光譜光源結(jié)合單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。
ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚層厚度、表面為粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。
ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

技術(shù)特點(diǎn)：

極寬的光譜范圍

采用寬光譜光源、寬光譜掃描的系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度，非常適合于對光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場合。
靈活的測量設(shè)置

儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），極大地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量級(jí)的檢測靈敏度

國際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級(jí)地納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
非常經(jīng)濟(jì)的技術(shù)方案

采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。

應(yīng)用領(lǐng)域：

ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS01適合很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn)，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。
ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用包括：

半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。

ESS01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo)：

項(xiàng)目	技術(shù)指標(biāo)
光譜范圍	ESS01VI：370-1700nm ESS01UI：245-1700nm
光譜分辨率（nm）	可設(shè)置
入射角度	40°-90°自動(dòng)調(diào)節(jié)
準(zhǔn)確度	δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時(shí)）
膜厚測量重復(fù)性^（1）	0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO₂膜層)
折射率n測量重復(fù)性^（1）	0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO₂膜層)
單次測量時(shí)間	典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式）
光學(xué)結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度）
可測量樣品最大尺寸	直徑Φ200 mm
樣品方位調(diào)整	高度調(diào)節(jié)范圍：10mm
樣品方位調(diào)整	二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
樣品對準(zhǔn)	光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng)
軟件	多語言界面切換
	預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
	安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）
	方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
	豐富的模型數(shù)據(jù)庫
選配件	自動(dòng)掃描樣品臺(tái) 聚焦透鏡