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    功率半導(dǎo)體器件測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)分析儀

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)功率半導(dǎo)體器件測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)分析儀感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!


    詳細(xì)介紹

    功率半導(dǎo)體器件測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)分析儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可以完成多項(xiàng)參數(shù)測(cè)試,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

    靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)新.png

    設(shè)備簡(jiǎn)介 

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以晶準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法       靈活,方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。


    系統(tǒng)組成

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。

    測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率蕞高支持1MHz。

     

    系統(tǒng)特點(diǎn)

    高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);        
    大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
    高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試;
    豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
    配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
    數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
    模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
    可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
    可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);

     

    系統(tǒng)參數(shù)

    項(xiàng)目

    參數(shù)

    集電極-發(fā)射極

    Z大電壓

    3500V

    Z大電流

    6000A

    精度

    ±0.1%

    大電壓上升沿

    典型值5ms

    大電流上升沿

    典型值15us

    大電流脈寬

    50us~500us

    漏電流測(cè)試量程

    1nA~100mA

    柵極-發(fā)射極

    Z大電壓

    300V

    Z大電流

    1A(直流)/10A(脈沖)

    精度

    ±0.05%

    Z小電壓分辨率

    30uV

    Z小電流分辨率

    10pA

    電容測(cè)試

    典型精度

    ±0.5%

    頻率范圍

    10Hz~1MHz

    電容值范圍

    0.01pF~9.9999F

    溫控

    范圍

    25℃~200℃

    精度

    ±1℃

     

    功率半導(dǎo)體器件測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)分析儀測(cè)試項(xiàng)目
    集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
    集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
    柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
    輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
    續(xù)流二極管壓降Vf
    I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

    PMST訂貨信息.jpg

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