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    Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    FilmTek? 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有薄膜測量應(yīng)用提供了業(yè)界領(lǐng)先的精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。

    作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線(“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE”)的一部分,F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測量要求,并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。

    詳細(xì)介紹


    Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

    ——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測量的先進(jìn)多模計(jì)量


    FilmTek? 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有薄膜測量應(yīng)用提供了業(yè)界領(lǐng)先的精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。


    作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線(“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE”)的一部分,F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測量要求,并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。


    它在超薄到薄膜(特別是多層堆疊中的薄膜)上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測量。此外,與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比,該系統(tǒng)對(duì)這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模設(shè)計(jì)的結(jié)果,該多模設(shè)計(jì)將基于高性能旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測量(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)、擴(kuò)展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合,以及先進(jìn)的Filmtek軟件。

     

    允許同時(shí)確定:
    ·多層厚度
    ·折射率[n(λ)]
    ·消光(吸收)系數(shù)[k(λ)]
    ·能帶隙
    ·成分(例如,SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等)
    ·表面粗糙度
    ·組分,空隙率
    ·結(jié)晶度/非晶化(例如多晶硅或GeSbTe薄膜)
    ·薄膜梯度

     

    系統(tǒng)組件:

    標(biāo)準(zhǔn):可選:
    旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的橢圓偏振光譜法(295nm-1700nm)
    多角度偏振光譜反射(190nm-1700nm)
    獨(dú)立測量薄膜厚度和折射率
    多角度差分偏振(MADP)技術(shù)與SCI的差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)
    非常適合測量超薄薄膜(天然氧化物的重復(fù)性為0.03?)
    用于成像測量位置的攝像機(jī)
    模式識(shí)別
    50微米光斑尺寸
    高級(jí)材料建模軟件
    具有高級(jí)全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型
    各向異性測量(nx、ny、nz)的廣義橢圓偏振法(4×4矩陣泛化法)
    盒式到盒式晶片處理
    FOUP和SMIF兼容
    模式識(shí)別(Cognex)
    SECS/GEM

     

    典型應(yīng)用領(lǐng)域:
    幾乎所有厚度從小于1?到約150μm的半透明膜都可以高精度測量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
    硅半導(dǎo)體
    復(fù)合半導(dǎo)體
    LED/OLED
    具有靈活的硬件和軟件,可以輕松修改以滿足客戶需求,特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。

    膜厚范圍0 ? to 150 μm
    膜厚精度±1.0 ? for NIST traceable standard oxide 100 ? to 1 μm
    光譜范圍190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
    光斑尺寸的測量25 μm - 300 μm (normal incidence); 2 mm (70°)
    樣本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
    光譜分辨率0.3 nm - 2nm
    光源Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
    探測器類型2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
    帶自動(dòng)聚焦的自動(dòng)舞臺(tái)300 mm (200 mm is standard)
    電腦Multi-core processor with Windows? 10 Operating System
    測量時(shí)間<1 sec per site (e.g., oxide film)

     

    性能規(guī)格

     

    Film(s) 厚度測量參數(shù)精確 ()
    氧化物 / 硅0 - 1000 ?t0.03 ?
    1000 - 500,000 ?     t0.005%
    1000 ?t , n0.2 ? / 0.0001
    15,000 ?t , n0.5 ? / 0.0001
    150.000 ?t , n1.5 ? / 0.00001
    氮化物 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
    500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0005
    光刻膠 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
    500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0002
    多晶硅  / 氧化物 /硅       200 - 10,000 ?t Poly , t Oxide        0.2 ? / 0.1 ?
    500 - 10,000 ?t Poly , t Oxide     0.2 ? / 0.0005


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