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    離子束刻蝕機(jī) NIE-4000(A)全自動IBE離子束刻蝕 那諾-馬斯特

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    NIE-4000(A)全自動IBE離子束刻蝕:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。

    詳細(xì)介紹

    NIE-4000(A)-1.png?

    NIE-4000(A)全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。

    NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí),旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。


    NIE-4000(A)全自動IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn):

    • 14.5”不銹鋼立體離子束腔體

    • 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板

    • 離子束中和器

    • 氬氣MFC

    • 6”水冷樣品臺

    • 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,真空步進(jìn)電機(jī)

    • 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜

    • 自動上下載晶圓片

    • 典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min

    • 6”范圍內(nèi),刻蝕均勻度+/-3%

    • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級別(配套500 l/s渦輪分子泵)

    • 配套1000 l/s渦輪分子泵,極限真空可達(dá)8x10-8Torr

    • 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

    • 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動控制

    • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護(hù)

    • 完整的安全聯(lián)鎖


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