法國IBS離子注入機

一、公司介紹

法國IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于離子注入領域的研發(fā)、設計制造與服務，并不斷升級和提高在該領域的技術水平。

創(chuàng)始人是來自法國軍方的技術專家，在其帶領下，整個技術團隊對技術更新的熱忱與努力，嚴謹低調的作風保證了設備的高質量和穩(wěn)定性。產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

二、IMC 200離子注入機技術指標

應用：主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圓尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不規(guī)則小片，最小可注入1cm2的樣品。

注入能量范圍：20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價/三價離子，注入能量400/600Kev;

注入角度：0°、7°，可通過手動更換夾具的方式改變注入角度0°-45°

注入劑量范圍：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均勻性：片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1xE14 at/cm2);

真空度：離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學干泵，高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。

注入束流：11B單價離子:>600μA;

31P單價離子:>1500μA;

75As單價離子:>1500μA。

(注入條件:6英寸晶圓，注入能量120KeV-200KeV)。

氣路系統(tǒng)：含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。

軟件功能：包括但不限于:權限管理、參數管理、手動控制、實時數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。

三、PULSION離子注入機技術指標

優(yōu)勢：3D浸沒式全方位離子注入，不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制;可靠性高，氣體消耗量低，易于維護，成本低;獨特的脈沖等離子體配置和偏振技術，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩(wěn)定性高，可以實現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關，即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動、工程和手動模式，工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯，參數可監(jiān)測、控制和記錄，可查看報警歷史。

原理：把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并完全浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時，開始注入。

應用：改善表面機械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氫，吸氣;

用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構

加速電壓：1 kV-10kV

標準注入電流：5 mA-100 mA (N2)

標準注入時間：30 min -3 h

可注入選項：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm

輻射：在任意外部屏蔽點10cm處，輻射值<0.6μSv/h1

注入劑量范圍：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle氣壓：<5xE-6 mbar

設備尺寸：1.6x2.15x2.3m(標準型);2.15x2.15x2.3m(加大型)