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    Neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)Pioneer 180-2-PLD

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    美國(guó)Neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)Pioneer 180-2-PLD,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法

    詳細(xì)介紹


    美國(guó)Neocera PLD 脈沖激光沉積系統(tǒng) Pulsed Laser Deposition System :Pioneer 180-2-PLD

    高性能的離子輔助沉積系統(tǒng) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的襯底或非晶襯底上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開(kāi)發(fā)了離子輔助的 PLD 系統(tǒng),該系統(tǒng)將 PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與 IBAD 能力結(jié)合在一起。

        
    。Neocera 在 PLD 設(shè)備與工藝開(kāi)發(fā)方面具有不可超越的經(jīng)驗(yàn)。
    ? Pioneer 系列 PLD 系統(tǒng)是全 球研發(fā)領(lǐng)域最為廣泛使用的商業(yè)化系統(tǒng)。
    ? Neocera不僅可以為客戶提供最基本的PLD系統(tǒng),還可以提供完善的PLD解決方案。
    ? PLD 實(shí)驗(yàn)室一站式方案。
                                                                           
    脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD) 一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
    PLD 是一種復(fù)雜材料沉積的有效方法 脈沖激光沉積(Pulsed Laser Deposition)是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組分相同 的薄膜。PLD 的獨(dú)特之處是能量源(脈沖激光)位于真空腔室的外面。這樣,在材料合成時(shí),工作氣壓的動(dòng)態(tài)范圍很寬, 達(dá)到 10-10 Torr ~ 100 Torr。通過(guò)控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外,PLD 是一種 “ 數(shù)字 ” 技術(shù),在納米尺度上進(jìn)行工藝控制(埃 /pulse)。
    Neocera Pioneer 系列 PLD 系統(tǒng) - 基于卓 越經(jīng)驗(yàn)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)
    Neocera 利用 PLD 開(kāi)展了深入廣泛的研究,建立了獲得最 佳薄膜質(zhì)量的臨界參數(shù),特別適用于沉積復(fù)雜氧化物薄膜。這些 思考已經(jīng)應(yīng)用于 Pioneer 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)之中。
    ? 很多復(fù)雜氧化物薄膜在相對(duì)高的氧壓(>100 Torr)下冷卻可獲得更高的質(zhì)量。所有 Pioneer 系統(tǒng)都具備此功能(氣壓 范圍可從額定初始?jí)簭?qiáng)到大氣壓)。這也有益于生成納米粒子。
    ? Pioneer PLD系統(tǒng)的激光束入射角為45°,保持了激光密度在靶材上的最 大均勻性,同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)元件。 更小的入射角會(huì)拉長(zhǎng)靶材上的激光斑點(diǎn),導(dǎo)致密度均勻性的損失。
    ? 為了消除油的回流對(duì)薄膜質(zhì)量的影響,所有 Pioneer 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置都采用無(wú)油泵系統(tǒng)。
    ? 我們的研究表明:靶材和襯底的距離是獲得最 佳薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。Pioneer 系統(tǒng)采用可變的靶材和襯底的距離,對(duì)沉積條件進(jìn)行最 大的控制。
    ? 獨(dú)立的一站式方案 PLD 系統(tǒng)。
    ? 用于沉積外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
    ? 高溫襯底加熱器,具有氧氣兼容性,可用于氧化物薄膜的沉積。
    ? 自動(dòng)多靶材旋轉(zhuǎn)器,可實(shí)現(xiàn)超晶格的沉積和 CCS(連續(xù)成分生長(zhǎng))功能。
    ? 升級(jí):離子輔助 PLD、組合優(yōu)化 PLD、靶材 - 襯底 Load-Lock。
    ? 額外的沉積源:射頻 / 直流濺射、直流離子槍。
    ? 原位診斷:高壓 RHEED、小角 X 射線譜儀( LAXS )和離子能譜儀(IES)。
    設(shè)備簡(jiǎn)介
    沉積腔室
    沉積腔室 沉積腔室為電拋光 304 不銹鋼的直徑 18 英寸球形室。該腔體是超高真空的,并配有許多端口用于將來(lái)升級(jí)。這些端口經(jīng) 過(guò)理想的設(shè)計(jì)和配置,可用于 PLD、高壓 RHEED、直流離子源、射頻 / 直流濺射、小角 X 射線譜儀(LAXS)和襯底的裝 載卸載(Load-Lock)等。激光以相對(duì)于靶材表面的 45° 角入射。該真空腔室集成了一個(gè)用于沉積外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié) 構(gòu)和超晶格的自動(dòng)化 6 靶材旋轉(zhuǎn)器(Labview 2018),以及用于直徑為 2 英寸晶圓片的可編程旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)。
    真空泵浦系統(tǒng)
    腔室由 Pfeiffer HiPace 渦輪分子泵抽真空,分子泵之后配備一個(gè) Edwards 渦旋泵。這兩種泵都是無(wú)油的干泵。腔室的本底 真空可以達(dá)到 5×10-7 Torr 或更低。集成了高真空規(guī)(熱絲極離子真空計(jì))和中等真空規(guī)(Convectron)來(lái)測(cè)量真空。
    多靶材旋轉(zhuǎn)器
    自動(dòng)多靶材旋轉(zhuǎn)器
    ? 六個(gè)直徑 1 英寸的靶材或三個(gè)直徑 2 英寸的靶材。
    ? 靶材旋轉(zhuǎn),360° 連續(xù)(1 ~ 20 轉(zhuǎn) / 分鐘)。
    ? 靶材搖擺技術(shù)(最 大 100 °/s)用于均勻消融整個(gè)靶材表面。
    ? 靶材索引用于制備多層。
    ? 靶材高度可調(diào)(非超高真空系統(tǒng)可手動(dòng)調(diào)節(jié))。
    ? 由 LabVIEW 2018 軟件控制靶材索引、靶材搖擺技術(shù) 和靶材旋轉(zhuǎn),促進(jìn)多層和超晶格的沉積。
    ? 軟件控制激光器的外部觸發(fā) - 便于納米級(jí)薄膜的生長(zhǎng) 控制。
    ? 軟件提供了二元相擴(kuò)展和三元相擴(kuò)展的 CCS(連續(xù) 成分生長(zhǎng))(可選)
    。 全干式真空泵:基于干式機(jī)械泵的渦輪分子泵。
    ? 最  低本底真空:標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng) 5×10-7 Torr,超高真空系統(tǒng) 7.5×10-9 Torr。
    ? 渦輪轉(zhuǎn)速由軟件控制。
     ? 靶材擋板保護(hù)靶材不受交叉污染。
    ? 完 美地用于沉積外延薄膜、多層和超晶格。
    ? 獨(dú)有的靶材搖擺技術(shù) - 反比速率協(xié)議。
    ? 可用于 CCS(連續(xù)成分生長(zhǎng))/ 組合 PLD。
    襯底加熱器
    氧氣兼容襯底加熱器 / 基片臺(tái)
    不論是在真空中,還是在一個(gè)大氣壓的氧氣中,輻射加熱基片臺(tái)均可將襯底加熱達(dá) 850 ℃。最 大襯底尺寸為直徑 2 英寸, 并且樣品夾持器可以容納更小的襯底。樣品夾持器可以在 Load-Lock 上使用。襯底 360° 旋轉(zhuǎn)由電機(jī)驅(qū)動(dòng),可由計(jì)算機(jī)控制。 這種襯底旋轉(zhuǎn)特性對(duì)于 RHEED 分析至關(guān)重要,可以促進(jìn)襯底的晶體結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn) RHEED 電子束。
    技術(shù)參數(shù):
    ? 襯底溫度:最 高 850 ℃。
    ? 襯底旋轉(zhuǎn)器:1 ~ 30 轉(zhuǎn) / 分鐘(360° 襯底旋轉(zhuǎn)器,與將來(lái)的 RHEED 升級(jí)兼容)。
    ? 襯底尺寸:最 大直徑 2 英寸,最 小尺寸:10 mm × 10 mm。
    ? 樣品夾持器與 Load-Lock 升級(jí)兼容。
    ? 加熱器溫度由可編程的 PID 控制器控制。
    ? 加熱器與氧氣兼容,高達(dá) 1 個(gè)大氣壓。
    ? 加熱器安裝在頂部,襯底平行于地面且表面向下。
    ? 配有預(yù)濺射擋板。
    ? 配有 K 型熱電偶將數(shù)據(jù)輸入到 PID 控制器中。
    ? 控制器裝有 Neocera 系統(tǒng)軟件(Labview 2018)。
    氣壓測(cè)量與控制
    ? 寬范圍的真空壓力表用于從大氣壓到 5×10-9 Torr 的氣壓測(cè)量。
    ? 配有 MKS 質(zhì)量流量控制器,可由 PLD 系統(tǒng)軟件控制,氧氣最 大流量約為 100 SCCM。
    ? 沉積氣壓閉環(huán)控制。
    工藝氣體流量控制
    配有用于工藝氣體控制的質(zhì)量流量控制器(最 大流量 200 sccm)。工 藝氣體是氧氣。利用該系統(tǒng)軟件可以控制分子泵轉(zhuǎn)速,利用 MFC 可 以控制工藝氣體流量,確定最 佳工藝氣體壓力。
    準(zhǔn)分子激光器
    ? 型號(hào):COMPex 102
    ? 激光介質(zhì):KrF 氣體
    ? 輸出波長(zhǎng):248 nm 光學(xué)系統(tǒng) 準(zhǔn)分子激光器 后續(xù)工藝氣壓控制 激光器外部觸發(fā)
    ? 最 大脈沖頻率:20 Hz ? 最 大脈沖能量:400 mJ ? 最 大功率:8 W
    光學(xué)系統(tǒng)
    PLD 光學(xué)組件(用于 KrF 準(zhǔn)分子激光器)
    ? 直徑 2 英寸,45° 入射角,248 nm 激光反射鏡。
    ? 直徑 2 英寸,22.5° 入射角,248 nm 激光反射鏡。
    ? 直徑 2 英寸,焦距為 50 cm,248 nm 平凸透鏡。
    ? 可調(diào)節(jié)的光闌。
    ? 陽(yáng)極氧化鋁面包板用于安裝光路。
    ? 穩(wěn)定的可活動(dòng)基座用于安裝2英寸激光反射鏡和透鏡,具有最 大的清晰光圈和寬角度范圍。
    ? 反射鏡安裝在靶材表面提供精確的定位激光點(diǎn)。
    ? 安轉(zhuǎn)有穩(wěn)定的直徑 2 英寸透鏡。
    ? 包含一套完整的安裝桿和底座。
    ? 配有光學(xué)紫外線安全外殼,保護(hù)使用者免受激光輻射。
    激光光束掃描系統(tǒng)
    提供激光光束掃描功能,在靶材上保持固定的光通量(J/cm2 )。光束掃描可以使薄膜在襯底上均勻地沉積,厚度均勻性為 5% 或更好。當(dāng)激光光束進(jìn)行掃描時(shí),反射鏡和透鏡同步運(yùn)動(dòng),以確保激光光束在靶材上有固定的光通量。激光掃描使用反比 速率協(xié)議,以確保在沉積薄膜時(shí),靶材表面消融均勻。
    反比速率協(xié)議(Inverse Velocity Protocol)
    ? Neocera 激光光束掃描系統(tǒng)采用反比速率掃描。
    ? 激光光束掃描的速率與到參照點(diǎn)的距離成反比。
    ? 對(duì)激光掃描做了調(diào)整,使它在到達(dá)靶材中心時(shí)掃描更快,但在接近靶材邊緣時(shí)減慢。這促進(jìn)了靶材表面的均勻消融, 對(duì)于厚度均勻性也很重要。
    ? 8 英寸晶圓片的中心總是沉積來(lái)自 PLD 羽輝的材料。通過(guò)控制掃描長(zhǎng)度、掃描速率、激光羽輝在襯底邊緣的時(shí)間和激 光羽輝在襯底中心的時(shí)間,可以確保整個(gè)8英寸襯底上薄膜的均勻性。這些都可以通過(guò)調(diào)整激光光束掃描的參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
    ? 用戶可以存儲(chǔ)和重新取回參數(shù),也可以編輯參數(shù)。
    靶材搖擺技術(shù)(Target Raster)
    靶材搖擺:搖擺意味著掃描。靶材旋轉(zhuǎn)器上有兩個(gè)直流電機(jī)。一個(gè)直流電機(jī)控制靶材圍繞自己的軸旋轉(zhuǎn)(RPM)。當(dāng)這個(gè) 電機(jī)打開(kāi)時(shí),旋轉(zhuǎn)器上的 6 個(gè)靶材都以給定的 RPM 旋轉(zhuǎn)(如:20 RPM)。還有第二個(gè)直流電機(jī),可以在兩個(gè)用戶選擇的 值之間對(duì)靶材旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行搖擺。如果我們的主靶材在 60° 位置,搖擺將被設(shè)置在大約 55° 和 65° 之間。
    PLD 軟件控制系統(tǒng)
    Windows 10,Labview 2018。
    襯底加熱平臺(tái) ? 反比速率協(xié)議 ? 激光器的外部觸發(fā)。襯底旋轉(zhuǎn)器 ? 氣壓控制 - 通過(guò)質(zhì)量流量控制器(MFC) ? 多層薄膜和超晶格的 recipe 和沉積 ? 靶材轉(zhuǎn)換器 ? 靶材搖擺技術(shù) ? 控制抽真空速率
    系統(tǒng)主機(jī)框架
    PLD 系統(tǒng)主機(jī)有 4 英寸的旋轉(zhuǎn)腳輪和調(diào)平腳;框架中的一個(gè)面板上有冷卻風(fēng)扇,防止熱量積聚。電子設(shè)備安裝在框架上一 個(gè)完整的電子機(jī)架上。一個(gè)歧管面板用來(lái)安裝所有氣體歧管和控制器。電氣分配和互連集成在主框架內(nèi)。
    系統(tǒng)配置 
    PLD 系統(tǒng)配置 - 電力、工藝氣體和壓縮空氣
    ? 電力: 2 英寸 - 220 V/20 A/ 單相電(標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)) 4 英寸 - 380 V/40 A/ 三相電(標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng))
    ? 水: 1 ~ 2 L/min, 室溫(25 ℃) 在 20 ℃ 條件下每分鐘 1 加侖
    ? 氣壓: 5 psi(磅每平方英寸) 1/4 英寸 Swagelock 配件
    可 升 級(jí) 功 能
    襯底的裝載卸載(Load-Lock)
    磁耦合線性饋通通過(guò)邊緣夾持裝置在襯底加熱器 “ 支架 ” 之間插入和收回襯底基座板。Load-Lock 是手動(dòng)操作裝置,它的 腔室有一個(gè)閘閥,將其與主要的超高真空腔室分開(kāi)。配備一臺(tái) 70 L/s 的渦輪分子泵,用于對(duì) Load-Lock 腔室進(jìn)行抽真空。 Load-Lock 腔室的本底真空可達(dá) 5×10-7 Torr 或更好。泵組(渦輪泵和前級(jí)泵)均為無(wú)油的干泵。Load-Lock 腔室有一個(gè)入口, 便于基座板的插入和移除。真空計(jì)會(huì)顯示出真空度。
    靶材 Load-Lock 升級(jí)
    靶材 Load-lock 升級(jí),對(duì)于靶材的裝載 - 鎖定,整個(gè)靶材旋轉(zhuǎn)器安裝在 Z 平臺(tái)上,以便于裝載 - 鎖定。
    超高真空升級(jí)
    超高真空升級(jí)可將本底真空提高到 5×10-9 Torr。這些升級(jí)包括對(duì)泵的升級(jí),金屬密封閘閥,將所有氟化橡膠密封更換為銅 密封,并在適用的情況下使用所有與超高真空兼容的玻璃 - 金屬窗(這包括激光窗口和所有觀察窗口)。
    5×10-7 Torr → 7.5×10-9 Torr
    6.67×10-5 Pa → 1.0×10-6 Pa 
    6.67×10-7 mbar → 1.0×10-8 mbar
    襯底 Z 平臺(tái)
    這使得靶基距可做 100 mm 的調(diào)節(jié)。距離可以調(diào)整為 50 mm 到 150 mm 之間的任何值(共 100 mm 調(diào)整距離)。 
    激光窗口更換系統(tǒng)
    激光窗口更換系統(tǒng)提供了清潔的光束路徑,延長(zhǎng)了工作時(shí)間。
    ? 一個(gè)紫外級(jí)硅窗 - 手動(dòng)旋轉(zhuǎn)襯板,從涂覆位置到未涂覆位置,以提供清潔的激光束路徑。
    ? 硅襯板提供 45 個(gè)無(wú)涂層位置(取決于現(xiàn)有的光學(xué)配置)。
    ? 硅襯板可以拆卸清洗并重復(fù)使用。
    ? 主激光窗口由硅襯板保護(hù)不受鍍層的影響。
    全自動(dòng)激光窗口更換系統(tǒng)
    全自動(dòng) “ 窗口更換系統(tǒng) ” 集成有一個(gè)裝有 6 片硅片的盒子,為長(zhǎng)時(shí)間的操作提供清潔的光束路徑。客戶可設(shè)置在特定數(shù)量 的激光脈沖后,涂層窗口自動(dòng)替換為無(wú)涂層窗口,在長(zhǎng)時(shí)間的操作中保持光束路徑的清潔。

    激光加熱器升級(jí)(Laser Heater upgrade)


    在這次升級(jí)中,Pioneer 180 PLD 系統(tǒng)現(xiàn)有的 2 英寸直徑的輻射加熱臺(tái)將被激光加熱臺(tái)取代。 LSH-100 激光加熱器能夠產(chǎn)生高于 1000℃ 的襯底溫度。襯底的背面與由 140 瓦光纖耦合激光器輻射加熱的吸收器直接熱 接觸。吸收器的溫度由集成光學(xué)高溫計(jì)持續(xù)監(jiān)控,為加熱器溫度 PID - 控制回路提供反饋。Neocera 專用軟件(LabView 2018)為用戶提供了許多選項(xiàng),用于編程自定義溫度配置文件、加熱模式和創(chuàng)建配置文件庫(kù)。整個(gè) LSH-100 加熱器組件完 全集成,以實(shí)現(xiàn)可靠和安全的運(yùn)行。


    850℃ → 1000℃



    技術(shù)參數(shù):


    ? 光纖耦合二極管激光器,最 大輸出功率:140 W

    ? 激光波長(zhǎng):930 ~ 960 nm

    ? 最 大襯底尺寸:10 mm × 10 mm

    ? 高溫計(jì)讀數(shù)范圍:300 ~ 1300 ℃

    ? 最 大吸收器溫度:1050 ℃

    ? 溫度不均勻性:<10 ℃

    ? 溫度穩(wěn)定性:1 %

    ? 最 大升溫速率:30 ℃/s


    射頻濺射源系統(tǒng)


    ? 6 英寸 CF 法蘭安裝

    ? 濺射源直徑:2 英寸

    ? 最 大射頻功率:300 W

    ? 包含射頻優(yōu)化網(wǎng)絡(luò),手動(dòng)調(diào)優(yōu)。


    直流濺射源系統(tǒng)


    ? 6 英寸 CF 法蘭安裝

    ? 濺射源直徑:2 英寸

    ? 最 大直流功率:500 W

    ? 含 1 KV 電源


    CCS(連續(xù)成分生長(zhǎng))/ 組合


    PLD CCS(連續(xù)成分生長(zhǎng))功能可在單次沉積中沉積多種不同組分的材料,大大縮短了沉積不同組分材料及合成新材料的時(shí)間, 實(shí)現(xiàn)合成材料組分的優(yōu)化。PLD-CCS 系統(tǒng)能以連續(xù)的方式改變沉積的材料,沒(méi)有必要使用掩模??梢栽诿恳淮窝h(huán)中, 以小于一個(gè)單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每一種組分,其結(jié)果類似于共沉積法。該法無(wú)需在沉積后進(jìn)行退火促進(jìn)內(nèi)部擴(kuò) 散或結(jié)晶,對(duì)于生長(zhǎng)溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或襯底不適合高溫退火的情況非常有幫助。Neocera 公司的 PLD 系統(tǒng)在同一個(gè)系統(tǒng)上既可以實(shí)現(xiàn)帶有 CCS(連續(xù)成分生長(zhǎng))功能的 PLD(CCS-PLD), 也可以實(shí)現(xiàn)基本的 PLD 功能。



    高壓 RHEED 系統(tǒng)

    激光分子束外延(Laser MBE)

    激光 MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ),該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的 PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電 子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用,為用戶提供了類似于 MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。


    ? 高壓 RHEED 用于原位薄膜生長(zhǎng)控制。

    ? 提供原子級(jí)薄膜生長(zhǎng)控制 / 生長(zhǎng)模式控制。(例如:通過(guò) RHEED 振蕩實(shí)現(xiàn)的 2D 生長(zhǎng)模式)

    ? RHEED 是一種衍射技術(shù)。從屏上產(chǎn)生的衍射圖樣中,可以實(shí)時(shí)地破譯結(jié)構(gòu)信息。

    ? 厚度和沉積速率信息。

    ? 薄膜襯底界面的應(yīng)力 / 其它結(jié)構(gòu)缺陷、第二相均可檢測(cè)。

    ? 這些信息對(duì)于各種納米結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量外延薄膜生長(zhǎng)至關(guān)重要。


    技術(shù)參數(shù):


    ? 最 大束流電壓:30 KeV。

    ? 兩組磁線圈,用于襯底平面內(nèi)和垂直于襯底平面的束流運(yùn)動(dòng)。

    ? 雙差動(dòng)泵(氧氣的兼容性高達(dá) 500 mTorr )。

    ? 配有光閥的凹形 RHEED 屏。

    ? 12 位 CCD 相機(jī)。

    ? K-space 數(shù)據(jù)采集和軟件。

    ? 與 PLD 系統(tǒng)完全集成。



    Low Angle X-ray Spectroscopy - 小角 X 射線譜儀

    ? LAXS 用于實(shí)時(shí)成分診斷。

    ? LAXS 實(shí)時(shí)檢測(cè)薄膜成分。

    ? 在薄膜沉積過(guò)程中,利用 Neocera 專有算法將高能電子束產(chǎn)生的各種元素的 X 射線強(qiáng)度轉(zhuǎn)化為元素成分。

    ? LAXS 是一種動(dòng)態(tài) X 射線光譜技術(shù)。

    ? 實(shí)時(shí)提供薄膜的定量成分信息。

    ? LAXS 提供了成分 / 化學(xué)信息,與 RHEED(結(jié)構(gòu))相輔相成。

    ? 這些綜合信息對(duì)材料研究人員來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。


    技術(shù)參數(shù):

    ? X 射線源:30 KeV 電子束(使用 RHEED 的 X 射線源)。

    ? 電子束入射角:<10°。

    ? X 射線探測(cè)器:硅漂移探測(cè)器。

    ? X 射線能量范圍:1 ~ 20 KeV。

    ? 能量分辨率:130 eV。

    ? 最 小薄膜厚度:2 nm。

    ? 成分準(zhǔn)確度:+/-5%。

    ? 沉積氣壓范圍:10-8 Torr to 500 mTorr。

    ? 軟件:Windows 10,Labview 2018。


    Ion Energy Spectrometer - 離子能譜儀

    技術(shù)參數(shù):

    ? 操作氣壓范圍:本底真空(5×10-7 Torr)到工藝氣壓的 200 mTorr。

    ? 離子能量范圍:0 ~ 200 eV

    ? 最 小能量分辨率:1 eV

    ? 掃描步長(zhǎng):0.2 ~ 10 V

    ? 離子電流振幅范圍:10-3 ~ 10 A ? 最 大傳感器直徑:3.5 cm

    ? 數(shù)字轉(zhuǎn)換器帶寬:50 MHz

    。時(shí)間分辨率:20 ns

    ? 與激光同步的精度:30 ns

    ? 最 大脈沖重復(fù)頻率:5 Hz

    ? 氣體壓力范圍:0 ~ 200 mTorr

    ? 最 大等離子體濃度(最 大):~1×1013 /cm3

    ? TOF 能量范圍:10 ~ 1500 eV


    離子輔助沉積(IBAD)

    高性能的離子輔助沉積系統(tǒng)

    離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的襯底或非晶襯底上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開(kāi)發(fā)了離子輔助的 PLD 系統(tǒng),該系統(tǒng)將 PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與 IBAD 能力結(jié)合在一起。

    脈沖電子束沉積系統(tǒng)(PED)

    脈沖電子束沉積(Pulsed Electron Deposition)是指高能脈沖(100 ns)的電子束(約 1000 A,15 KeV)在靶材上穿透大約 1 μm,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對(duì)靶材的非平衡提?。疲┦沟入x子體的組分與靶材的化學(xué)計(jì)量比組分一致。在 最佳條件下,靶材的化學(xué)計(jì)量比與沉積薄膜保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導(dǎo)體和絕緣體等都可以用 PED 技術(shù)沉 積各自的薄膜。

    。獨(dú)立一站式方案脈沖電子束沉積系統(tǒng) PED。

    ? 沉積外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜(heterostructures)與超晶格薄膜。

    ? 沉積氧化物薄膜時(shí)與氧氣兼容。

    ? 升級(jí)選項(xiàng):離子輔助 PED、連續(xù)成分生長(zhǎng) PED、進(jìn)樣系統(tǒng) Load-Lock。

    ? 可附加的沉積源:脈沖激光與射頻 / 直流濺射。

    ? 集成 XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng),原位高真空襯底傳送系統(tǒng)。

    技術(shù)參數(shù):

    ? 輸入電壓:115 ~ 230 V 交流,50/60 Hz,單相電

    ? 氣壓(氧氣):5 ~ 20 mTorr

    ? 電子能量:8 ~ 20 kV

    ? 最 大脈沖能量:800 mJ

    ? 最 小脈沖能量:100 mJ

    ? 脈沖能量變化:±10%

    ? 脈寬:~100 ns

    ? 最 大脈沖重復(fù)頻率:10 Hz

    ? 電子束最 小橫截面:6×10-2 cm2

    ? 電子束橫截面變化:±20%

    ? 最 大脈沖功率密度:1.3×108 W/cm2

    ? Z - 定位范圍:50 mm

    ? XY - 定位范圍:±20 mm

    ? 陰極壽命:>1×107 個(gè)脈沖

    ? PEBS 閥體最 高溫度:85 ℃



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