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    日本 離子束刻蝕系統(tǒng)Elionix

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    詳細(xì)介紹

    EIS-200Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術(shù)(ECR)的小型離子束蝕刻系統(tǒng),特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄,清洗、鍍膜等。

    EIS-200原理:

     

    利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過電場加速到達(dá)樣品表面,對樣品進行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。

    EIS-200具有以下優(yōu)點:

    ?   方向性好,各向異性,陡直度高,側(cè)向刻蝕少

    ?   分辨率高

    ?   不受刻蝕材料限制,可對石英等材料進行蝕刻

    ?   可控制蝕刻Taper角

    ?   可以設(shè)定多樣的實驗條件

    二、主要功能

    l  主要應(yīng)用

    納米圖案刻蝕

    高深寬比蝕刻

    表面清潔

    離子減薄

    l  技術(shù)能力

    離子槍

    ECR型離子槍

    離子化氣體

    Ar、Xe等、惰性離子氣體

    N2、O2、CF4等、活性離子氣體

    加速電壓

    100V~3000V 連續(xù)可變(高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX)

    離子束流密度

    Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時)

    O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時)

    離子束有效直徑

    Φ20mm(FWHM35mm)

    離子束穩(wěn)定度

    ±3%/2H

    大樣品尺寸

    Φ4英寸

     

     


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