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2025-04-25 14:16:02新型濕度控制技術(shù): 新型濕度控制技術(shù)是一種先進(jìn)的環(huán)境調(diào)控手段，通過(guò)智能感知與精準(zhǔn)調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)對(duì)空間濕度的動(dòng)態(tài)平衡。該技術(shù)采用高效除濕與加濕模塊，結(jié)合先進(jìn)的傳感器與控制系統(tǒng)，能夠迅速響應(yīng)環(huán)境變化，確保濕度維持在設(shè)定范圍內(nèi)。此外，它還具有節(jié)能環(huán)保、運(yùn)行穩(wěn)定、維護(hù)簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室、數(shù)據(jù)中心、博物館等領(lǐng)域，為各類精密設(shè)備與珍貴藏品提供理想的存儲(chǔ)環(huán)境。

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技術(shù)革新：高低溫濕熱試驗(yàn)箱的新型濕度控制技術(shù)

在材料研發(fā)、電子產(chǎn)品檢測(cè)、藥品穩(wěn)定性測(cè)試等眾多領(lǐng)域，高低溫濕熱試驗(yàn)箱發(fā)揮著作用，其精準(zhǔn)模擬復(fù)雜溫濕度環(huán)境的能力，為各行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量把控與性能優(yōu)化提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

廣東皓天檢測(cè)儀器有限公司 21
2025-04-14
新型濕度控制技術(shù)除濕協(xié)同技術(shù)材料研發(fā)領(lǐng)域

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新型濕度控制技術(shù)問(wèn)答

2023-08-18 09:28:41【綜述】新型含鹵素農(nóng)藥及其關(guān)鍵合成步驟: 研究背景將鹵素原子引入分子中是影響其物理化學(xué)性質(zhì)的重要工具。自2010年以來(lái)，約81%的上市農(nóng)用化學(xué)品含有鹵素原子。作者Peter Jeschke綜述了過(guò)去10年中引入市場(chǎng)的最新一代含鹵素農(nóng)用化學(xué)品，并描述了當(dāng)前含鹵素開(kāi)發(fā)候選產(chǎn)品的制造方法。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）在過(guò)去10年（2010-2020年http://www.alanwood.net)的統(tǒng)計(jì)表明，除了僅有的9種非含鹵農(nóng)用化學(xué)品外，所有其他39種上市產(chǎn)品（~81%）都含有鹵素原子包括12種除草劑、14種殺菌劑、10種殺蟲(chóng)劑/殺螨劑和3種殺線蟲(chóng)劑（圖1）。圖1. 商業(yè)化含鹵農(nóng)用化學(xué)品的百分比示意圖（2010-2020年）一、含鹵素除草劑高等植物中的纖維素生物合成（CB）對(duì)細(xì)胞生長(zhǎng)和分裂以及組織形成和分化至關(guān)重要。因此，任何CB抑制作用都會(huì)嚴(yán)重?fù)p害植物的生長(zhǎng)和發(fā)育，作為除草劑具有相當(dāng)大的意義。四個(gè)子類，如腈、苯甲酰胺、三唑碳酰胺和烷基疊氮構(gòu)成CB抑制劑(CBIs)。CBI 6廣泛應(yīng)用于抑制草和闊葉雜草，并可長(zhǎng)期控制多種入侵的冬季一年生草。圖2. CBI 6 合成路線原卟啉原IX氧化酶（PPO）催化分子氧將原卟啉原Ⅸ氧化為原卟啉Ⅸ，是最成熟的除草靶標(biāo)之一。PPO的抑制導(dǎo)致原卟啉IX的積累，這種過(guò)氧化過(guò)程導(dǎo)致細(xì)胞膜破壞、色素分解和葉片壞死，從而導(dǎo)致植物死亡。在過(guò)去的十年中，三種鹵代PPO抑制劑已作為除草劑商業(yè)化（圖 3）。圖3. 三種除草劑結(jié)構(gòu)及其合成路線二、含鹵素殺菌劑在過(guò)去的十年中，以琥珀酸脫氫酶（SDH，復(fù)合體II）為靶點(diǎn)的殺菌劑的數(shù)量顯著增加，這些殺菌劑控制了子囊菌、擔(dān)子菌和重生菌等多種植物病原體。在第一種氟化吡唑-4-甲酰胺雙惡芬上市后，最新上市的六種SDH抑制劑殺菌劑32-37對(duì)重要的谷物作物病原體表現(xiàn)出較高的療效（圖4）。圖4. 6種SDH抑制殺菌劑目前，外消旋廣譜SDH抑制劑殺菌劑氟吡唑43和異氟吡唑44（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）正在開(kāi)發(fā)中（圖 5）。圖5. 開(kāi)發(fā)產(chǎn)品 43和44（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）的結(jié)構(gòu)以及外消旋中間體49的合成途徑1,8-二氫萘（DHN）生物合成途徑中的初始酶，一種特定的聚酮合酶（PKS），是殺真菌黑色素生物合成抑制劑（MBI）的靶標(biāo)。受卵菌類殺菌劑纈氨酸氨基甲酸酯-異丙維甲酸酯50的啟發(fā)，設(shè)計(jì)了化合物51作為先導(dǎo)結(jié)構(gòu)，并對(duì)稻瘟?。ǖ疚敛【㏄KS活性（PKSI-A）和黑色素生物合成抑制活性（MBI-A）進(jìn)行了評(píng)估，從而發(fā)現(xiàn)了系統(tǒng)性殺菌劑55（圖 6）。圖6. 受化合物50的結(jié)構(gòu)啟發(fā)，根據(jù)合成途徑制備化合物了51和55幾年前，氧固醇結(jié)合蛋白（OBP）被鑒定為新一類哌啶基噻唑異惡唑啉的新靶標(biāo)，其第一成員為Oxathiapiprolin 60（圖 7）。與60相比，結(jié)構(gòu)相似的開(kāi)發(fā)候選Fluoxapiprolin 61（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）包含3,5-雙二氟甲基的結(jié)構(gòu)。61的合成途徑中的最后一步略有不同。如圖 7所示，該殺真菌劑是通過(guò)N-(2-氯乙?；?-4-哌啶基64與3,5-雙(二氟甲基)-1H-吡唑65偶聯(lián)而形成的。圖7. Oxathiapiprolin 60和Fluoxapiprolin 61的結(jié)構(gòu)和合成途徑中的關(guān)鍵步驟三、含鹵素殺蟲(chóng)劑煙堿乙酰膽堿受體（nAChR）仍然是現(xiàn)代害蟲(chóng)防治最具吸引力的靶位點(diǎn)之一。自2012年發(fā)現(xiàn)新的化學(xué)類別磺酰亞胺并推出Sulfoxaflor 66以來(lái)，氟原子或含氟取代基在設(shè)計(jì)新型nAChR競(jìng)爭(zhēng)性調(diào)節(jié)劑中的重要性有所提高。其次是兩類殺蟲(chóng)劑，如丁烯內(nèi)酯類Flupyradifurone 67和Triflumezopyrim 68成員的介子類殺蟲(chóng)劑。預(yù)計(jì)，亞吡啶類殺蟲(chóng)劑將在適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)以Flupyrimin69（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）作為第四類殺蟲(chóng)劑進(jìn)入殺蟲(chóng)劑市場(chǎng)（圖 8）。圖8. nAChR競(jìng)爭(zhēng)性調(diào)節(jié)劑66–69的結(jié)構(gòu)和合成關(guān)鍵途徑多年來(lái)，γ-氨基丁酸（GABA）門(mén)控的氯化物通道也是殺蟲(chóng)劑的有效靶標(biāo)。異惡唑啉是第一類新的GABA門(mén)控氯通道變構(gòu)調(diào)節(jié)劑，對(duì)昆蟲(chóng)產(chǎn)生神經(jīng)毒性作用，如過(guò)度興奮和驚厥。商品化的Fluxametamid 79和正在開(kāi)發(fā)中的殺蟲(chóng)劑Isocycloseram 80含有典型的鹵代5-苯基-5-（三氟甲基）-4H-異惡唑-3-基-2-甲基-苯甲酰胺結(jié)構(gòu)（圖 9）。圖9. GABA門(mén)控氯化物79和80的結(jié)構(gòu)與合成關(guān)鍵步驟間位二酰胺是GABA門(mén)控氯通道變構(gòu)調(diào)節(jié)劑的第二個(gè)新的化學(xué)類別。最近上市的 Broflanilide 84含有12個(gè) “混合” 鹵素原子，即一個(gè)溴和11個(gè)氟原子，位于2-氟-苯甲酰胺中，以及2-溴-4-七氟-異丙基-6-三氟-甲基苯基作為分子片段。而正在開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品Cyclobroflanilide 85（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）甚至具有12個(gè)氟原子（圖 10）。圖10. GABA門(mén)控氯化物84和85的結(jié)構(gòu)與合成關(guān)鍵步驟四、含鹵素殺螨劑殺螨劑Pyflubumide 91含有親脂性的4-（1-甲氧基-六氟異丙基）取代苯胺結(jié)構(gòu)（logP 值=5.34），其在結(jié)構(gòu)上也受到類似Broflanilide 84的啟發(fā)。殺螨劑92被歸類為一種新的鈣激活鉀通道（KCa2）調(diào)節(jié)劑，對(duì)蔬菜、茶和柑橘類水果中的二斑葉螨（二斑葉蛛）和歐洲紅螨（斑葉螨）有效。Acynonapyr 92（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）的合成基于氮雜雙環(huán) [3.3.1] 壬烷母核結(jié)構(gòu)（圖 11）。圖11. 復(fù)合物II抑制劑Pyflubumide 91、N-脫酰基Pyflubumide 91a和開(kāi)發(fā)產(chǎn)品Acynonapyr 92的結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵合成步驟。五、含鹵素殺線蟲(chóng)劑在過(guò)去的十年里，市場(chǎng)上銷售了三種含鹵素的殺線蟲(chóng)劑，其中兩種被稱為殺真菌產(chǎn)品:第一種是接觸型二羧酰亞胺殺菌劑Iprodione 100,第二種是吡啶乙基苯甲酰胺SDH抑制劑Fluopyram 101。系統(tǒng)性殺線蟲(chóng)劑Fluenesulfone 102含有與5-氯噻唑母核連接的 [(3, 4, 4-三氟-3-丁烯-1-基)-磺?；鵠-片段（圖 12）。圖12. 殺線蟲(chóng)劑Iprodione 100、Fluopyram 101和Fluenesulfone 102的結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵途徑目前，另外兩種對(duì)土壤線蟲(chóng)有活性的殺線蟲(chóng)劑Fluazaindolizine 109（ISO臨時(shí)批準(zhǔn)的通用名稱）和Cyclobutrifluram 110（含有80-100%的（1S, 2S）-異構(gòu)體）正在開(kāi)發(fā)中（圖 13）。圖13.殺線蟲(chóng)劑Fluazaindolizine109和Cyclobutriflura 110 的結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵合成步驟研究總結(jié)作者對(duì)過(guò)去10年在全球作物保護(hù)市場(chǎng)上推出的現(xiàn)代農(nóng)用化學(xué)品的分析表明，含鹵素農(nóng)藥的影響很大。自2010年以來(lái)，市場(chǎng)上約81%的農(nóng)用化學(xué)品被鹵素取代，含氟產(chǎn)品顯著增加。大量重要的氟代結(jié)構(gòu)片段在工業(yè)規(guī)模的技術(shù)制造方面取得了突出進(jìn)展。殺菌劑和殺蟲(chóng)劑含有大量的氟原子，而殺線蟲(chóng)劑和除草劑在大多數(shù)情況下含有“混合”鹵素原子?？紤]到監(jiān)管要求，含鹵素農(nóng)用化學(xué)品的成功受到相關(guān)限制，用于作物保護(hù)用途的非含鹵產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)也非常重要。

2023-03-24 13:39:16新品上市 | 新型循環(huán)微量熱電池檢測(cè)系統(tǒng): Waters-TA儀器部門(mén)(紐約證券交易所代碼:WAT) 宣布其TA Instruments?部門(mén)推出了一款新型循環(huán)微量熱電池檢測(cè)系統(tǒng)，用于多類電池的高分辨率表征。該儀器和軟件組合可在實(shí)際操作條件下進(jìn)行無(wú)損測(cè)試，并將實(shí)驗(yàn)時(shí)間從幾個(gè)月大幅縮短到幾周，同時(shí)為提高電池效率、安全性和穩(wěn)定性提供決定性的洞察力?！靶滦蛢x器最多可縮短75%的測(cè)試時(shí)間，同時(shí)幫助研究人員更多地了解電池及其材料在熱和電化學(xué)條件下的行為和變化。它為科學(xué)家提供的精確數(shù)據(jù)對(duì)于確保電池性能和安全至關(guān)重要?！彪姵匮h(huán)微量熱系統(tǒng)支持三種常見(jiàn)電池類型的測(cè)試-紐扣電池，軟包電池和18650圓柱電池-用于并行充電/放電和量熱測(cè)試。它可以最大限度地提高研究人員的效率，同時(shí)支持多達(dá)12個(gè)紐扣電池的測(cè)試和數(shù)據(jù)收集——比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品多6倍。易于操作的TAM控制軟件減少了培訓(xùn)的技術(shù)障礙，同時(shí)使研究人員能夠定義參數(shù)和繪圖選項(xiàng)，匯總和分析數(shù)據(jù)，為您的電池研發(fā)或工藝改進(jìn)做出明智的決策服務(wù)。這種新型解決方案使您能夠更好地預(yù)測(cè)電解液的使用壽命，非常有助于開(kāi)發(fā)新的電解液和電極材料。

2023-02-07 16:17:41锘海成功入選“2022年上海創(chuàng)新型中小企業(yè)”: 上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)開(kāi)展了2022年創(chuàng)新型中小企業(yè)評(píng)定工作，已于1月16日公示通過(guò)審核的企業(yè)名單，锘海生物科學(xué)儀器（上海）有限公司成功入選“2022年上海市松江區(qū)創(chuàng)新型中小企業(yè)”什么是創(chuàng)新型中小企業(yè)「上海市創(chuàng)新型中小企業(yè)」是根據(jù)《上海市優(yōu)質(zhì)中小企業(yè)梯度培育管理實(shí)施細(xì)則》（滬經(jīng)信規(guī)范〔2022〕8號(hào)），經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的專家評(píng)審和綜合評(píng)估后，符合認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)并予以認(rèn)定、公示的一項(xiàng)重要資質(zhì)。該榜單的入選標(biāo)志著锘海進(jìn)入優(yōu)質(zhì)中小企業(yè)培育庫(kù)，展現(xiàn)出锘海具有較高專業(yè)化水平和較強(qiáng)創(chuàng)新能力和發(fā)展?jié)摿?，同時(shí)表明锘海主營(yíng)業(yè)務(wù)和發(fā)展符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及相關(guān)要求。此次入選上海市創(chuàng)新型中小企業(yè)，是政府與行業(yè)對(duì)锘海技術(shù)水平、研發(fā)能力、業(yè)務(wù)發(fā)展及綜合實(shí)力等方面的認(rèn)可和肯定。锘海也將緊跟科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展前沿，持續(xù)加大研發(fā)投入，加快技術(shù)突破，為行業(yè)發(fā)展提供源源不斷的創(chuàng)新動(dòng)能，一如既往的為用戶提供更加專業(yè)、便利的產(chǎn)品和服務(wù)。關(guān)于锘海锘海生命科學(xué)成立于2017年，2020年獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)。總部位于上海漕河涇開(kāi)發(fā)區(qū)松江園區(qū)內(nèi)，在北京，廣州，成都，沈陽(yáng)等十余座城市設(shè)有辦事處。作為“生命科學(xué)的服務(wù)者，醫(yī)療創(chuàng)新的推動(dòng)者“，致力于打造完整的生命科學(xué)儀器研發(fā)、制造、服務(wù)體系。我們積極推進(jìn)科學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)化，在大組織3D熒光成像中，處于光片顯微鏡行業(yè)的先進(jìn)地位，自主研發(fā)的LS18平鋪光片顯微鏡解決了傳統(tǒng)光片顯微鏡中空間分辨率、光學(xué)層析能力和成像視野大小之間的矛盾，滿足高通量、準(zhǔn)確定位的熒光成像分析需求。此外，锘海還有納米藥物制備系統(tǒng)及納米藥物制備、檢測(cè)服務(wù)—從篩選到制劑表征全線過(guò)程，適用于臨床前研究和符合GMP的臨床生產(chǎn)，目前，锘海已服務(wù)國(guó)內(nèi)多家知名藥企并具備成功申報(bào)臨床的案例。

2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù): 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來(lái)進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來(lái)使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽(yáng)極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對(duì)反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場(chǎng), 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下, 被高頻電場(chǎng)加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過(guò)程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場(chǎng)方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。刻蝕氣體的選擇對(duì)于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對(duì)其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對(duì)于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過(guò)程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來(lái)的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對(duì)于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對(duì)Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過(guò)程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤(pán)位于室的底部。晶片盤(pán)與腔室的其余部分電隔離。氣體通過(guò)腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過(guò)底部離開(kāi)真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過(guò)調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過(guò)向晶片盤(pán)片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過(guò)剝離電子來(lái)電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤(pán)。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤(pán)片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤(pán)片積聚電荷。這種電荷積聚在盤(pán)片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤(pán)漂移，在晶片盤(pán)中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過(guò)轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來(lái)敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。