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    2025-01-24 09:32:01光纖探針
    

    光纖探針是一種基于光纖技術(shù)的精密測(cè)量工具，它利用光纖傳輸光信號(hào)的特性，通過光纖末端的特殊結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)對(duì)微小目標(biāo)的高精度探測(cè)。光纖探針具有測(cè)量精度高、響應(yīng)速度快、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其工作原理通常涉及光的全反射、散射或干涉等現(xiàn)象，通過解析光纖中傳輸?shù)墓庑盘?hào)變化來獲取待測(cè)目標(biāo)的物理或化學(xué)信息。
    

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    錐形光纖探針
    

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    錐形光纖探針掃描系統(tǒng)
    

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    【NCHV-A探針】bruker 原子力顯微鏡探針
    

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    2025-04-23 14:15:17接觸角測(cè)量?jī)x探針怎么調(diào)
    

    接觸角測(cè)量?jī)x探針的調(diào)整是確保測(cè)量精度和儀器性能的關(guān)鍵步驟。在進(jìn)行接觸角測(cè)量時(shí)，探針的正確調(diào)整可以顯著影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性與一致性。本文將詳細(xì)介紹如何調(diào)節(jié)接觸角測(cè)量?jī)x的探針，以確保測(cè)量過程中各項(xiàng)參數(shù)的佳配置，并幫助用戶避免常見的操作失誤。通過正確的操作，不僅能提高測(cè)量效率，還能延長(zhǎng)儀器的使用壽命。因此，掌握探針調(diào)整的技巧，對(duì)每一位使用接觸角測(cè)量?jī)x的工程師和技術(shù)人員來說，都是至關(guān)重要的。
接觸角測(cè)量?jī)x探針的調(diào)整通常涉及多個(gè)方面，其中包括探針的垂直度、位置以及與樣品表面接觸的角度。為了確保探針能夠精確地接觸到樣品表面，必須調(diào)整儀器的探針支撐架。通過調(diào)節(jié)支撐架的角度和高度，可以保證探針始終與樣品表面垂直，從而減少因角度不準(zhǔn)確引起的測(cè)量誤差。
接觸角測(cè)量?jī)x的探針必須精確定位，以確保每次實(shí)驗(yàn)中探針與液滴接觸的條件一致。通常，這需要通過微調(diào)螺絲來實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位，確保探針的每次接觸位置不會(huì)偏離設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)位置。如果探針位置發(fā)生偏差，液滴的分布情況將不均勻，從而影響接觸角的準(zhǔn)確度。
在進(jìn)行探針調(diào)整時(shí)，還需要考慮環(huán)境因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，例如溫度、濕度以及空氣流動(dòng)等。任何這些因素的變化都可能導(dǎo)致測(cè)量值的波動(dòng)。因此，在調(diào)節(jié)探針時(shí)，確保操作環(huán)境穩(wěn)定，也是確保接觸角測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確性的重要步驟。
接觸角測(cè)量?jī)x探針的調(diào)節(jié)是確保實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可靠性的基礎(chǔ)。通過合理的調(diào)整方法和操作技巧，能夠有效地提高測(cè)量精度，并保證每次實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性。在實(shí)際操作中，專業(yè)人員應(yīng)根據(jù)儀器的具體要求和操作手冊(cè)，謹(jǐn)慎調(diào)整探針的各項(xiàng)參數(shù)，避免因不當(dāng)調(diào)整導(dǎo)致測(cè)量誤差。
    

    
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    2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針
    

    簡(jiǎn)介        掃描俄歇納米探針，又稱俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，簡(jiǎn)稱AES）是一種表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。根據(jù)分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化學(xué)態(tài)）定性或定量信息。可以對(duì)納米級(jí)形貌進(jìn)行觀察和成分表征。近年來，隨著超高真空和能譜檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展，掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具，為探索和研究表面現(xiàn)象的理論和工藝問題，做出了巨大貢獻(xiàn)，日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應(yīng)用在包括半導(dǎo)體芯片成分表征等方向發(fā)展歷史        近年來，固體表面分析方法獲得了迅速的發(fā)展，它是目前分析化學(xué)領(lǐng)域中最活躍的分支之一。它的發(fā)展與催化研究、材料科學(xué)和微型電子器件研制等有關(guān)領(lǐng)域內(nèi)迫切需要了解各種固體表面現(xiàn)象密切相關(guān)。各種表面分析方法的建立又為這些領(lǐng)域的研究創(chuàng)造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學(xué)分析用光電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應(yīng)用于化學(xué)、物理、半導(dǎo)體、電子、冶金等有關(guān)研究領(lǐng)域中。        俄歇現(xiàn)象于1925年由P.Auger發(fā)現(xiàn)。28 年以后，J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認(rèn)出俄歇電子譜線， 但是由于俄歇電子譜線強(qiáng)度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測(cè)它比較困難。        1968年，L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測(cè)”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信號(hào)的檢測(cè)成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達(dá)到了可以實(shí)用的階段。         1969年圓筒形電子能量分析器應(yīng)用于AES, 進(jìn)一步提高了分析的速度和靈敏度。        1970年通過掃描細(xì)聚焦電子束,實(shí)現(xiàn)了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖)，出現(xiàn)了掃描俄歇微探針儀器。        1972年，R.W.Palmberg利用離子濺射，將表面逐層剝離，獲得了元素的深度分析，實(shí)現(xiàn)了三維分析。至此，俄歇譜儀的基本格局已經(jīng)確定， AES已迅速地發(fā)展成為強(qiáng)有力的固體表面化學(xué)分析方法，開始被廣泛使用?；驹?nbsp;       俄歇電子是由于原子中的電子被激發(fā)而產(chǎn)生的次級(jí)電子。當(dāng)原子內(nèi)殼層的電子被激發(fā)形成一個(gè)空穴時(shí)，電子從外殼層躍遷到內(nèi)殼層的空穴并釋放出光子能量；這種光子能量被另一個(gè)電子吸收，導(dǎo)致其從原子激發(fā)出來。這個(gè)被激發(fā)的電子就是俄歇電子。這個(gè)過程被稱為俄歇效應(yīng)。Auger electron emission        入射電子束和物質(zhì)作用，可以激發(fā)出原子的內(nèi)層電子。外層電子向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對(duì)于一個(gè)原子來說,激發(fā)態(tài)原子在釋放能量時(shí)只能進(jìn)行一種發(fā)射：特征X射線或俄歇電子。原子序數(shù)大的元素，特征X射線的發(fā)射幾率較大，原子序數(shù)小的元素，俄歇電子發(fā)射幾率較大，當(dāng)原子序數(shù)為33時(shí)，兩種發(fā)射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。        如果電子束將某原子K層電子激發(fā)為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個(gè)電子激發(fā)為俄歇電子，這個(gè)俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發(fā)，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個(gè)M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。        只要測(cè)定出俄歇電子的能量，對(duì)照現(xiàn)有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠(yuǎn)高于原子內(nèi)層軌道的能量，可以激發(fā)出多個(gè)內(nèi)層電子，會(huì)產(chǎn)生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會(huì)有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復(fù)雜，但依靠多個(gè)俄歇峰,會(huì)使得定性分析準(zhǔn)確度很高，可以進(jìn)行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時(shí),還可以利用俄歇電子的強(qiáng)度和樣品中原子濃度的線性關(guān)系,進(jìn)行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內(nèi),檢出限可達(dá)到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統(tǒng)組成        AES主要由超高真空系統(tǒng)、肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺(tái)、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例，其核心分析能力為25 kV肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子源，與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術(shù)是閃爍二次電子探測(cè)器、 高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動(dòng)的五軸樣品臺(tái)和PHI創(chuàng)新的儀器控制和數(shù)據(jù)處理軟件包：SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴(kuò)展冷脆斷樣品臺(tái)、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術(shù)，深受廣大用戶認(rèn)可。PHI710激發(fā)源，分析器和探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖：        為滿足當(dāng)今納米材料的應(yīng)用需求，PHI 710提供了最高穩(wěn)定性的 AES 成像平臺(tái)。隔聲罩、 低噪聲電子系統(tǒng)、 穩(wěn)定的樣品臺(tái)和可靠的成像匹配軟件可實(shí)現(xiàn) AES對(duì)納米級(jí)形貌特征的成像和采譜。        真正的超高真空（UHV）可保證分析過程中樣品不受污染，可進(jìn)行明確、準(zhǔn)確的表面表征。測(cè)試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵（TSP）抽氣實(shí)現(xiàn)的。肖特基場(chǎng)發(fā)射源有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)以確保發(fā)射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術(shù)用于系統(tǒng)粗抽，樣品引入室抽真空，和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術(shù)，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，標(biāo)配是一個(gè)多技術(shù)測(cè)試腔體。         PHI 710 是由安裝在一個(gè)帶有 Microsoft Windows ? 操作系統(tǒng)的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產(chǎn)品都包括執(zhí)行行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件用于獲取數(shù)據(jù)的最大信息。710 可應(yīng)用互聯(lián)網(wǎng)，使用標(biāo)準(zhǔn)的通信協(xié)議進(jìn)行遠(yuǎn)程操作。AES的應(yīng)用        掃描俄歇納米探針可分析原材料（粉末顆粒，片材等）表面組成，晶粒觀察，金相分布，晶間晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等，還具備深度剖析功能表征鈍化層，包覆層，摻雜深度，納米級(jí)多層膜層結(jié)構(gòu)等。AES的分析深度4-50 ?，二次電子成像的空間分辨可達(dá) 3納米，成分分布像可達(dá)8納米，分析材料表面元素組成 （Li ~ U），是真正的納米級(jí)表面成分分析設(shè)備?？蓾M足合金、催化、半導(dǎo)體、能源電池材料、電子器件等材料和產(chǎn)品的分析需求。AES 應(yīng)用的幾種例子，從左到右為半導(dǎo)體FIB-cut，鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結(jié)本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎(chǔ)知識(shí)，后續(xù)我們還會(huì)提供更有價(jià)值的知識(shí)和信息，希望大家持續(xù)關(guān)注“表面分析家”！
    

    
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    2023-07-31 16:55:12微電容單通道叉指電極真空探針臺(tái)用途介紹
    

    叉指微電極因其微小的電極間距結(jié)構(gòu)，可用于各種小型化傳感器。對(duì)于傳統(tǒng)分析檢測(cè)，包括色譜法、光譜法、質(zhì)譜等方法，大多都需要昂貴的儀器和多種操作步驟，使得許多實(shí)際問題仍面臨困難。開發(fā)高靈敏度、低成本、小型化的傳感器尤為重要。本文綜述了叉指微電極的研究進(jìn)展，介紹了基于叉指微電極的傳感器在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 小型真空探針臺(tái)鄭科探 KT-Z4019MRL4T是一款性高價(jià)比配置的真空高低溫探針臺(tái)。高溫400℃ 低-196℃ 測(cè)試噪聲小于5E-13A 可擴(kuò)展上下雙透視窗口用于光電測(cè)試 可擴(kuò)展凹視鏡。公司致力于各類探針臺(tái)，（包括手動(dòng)與自動(dòng)探針臺(tái)、雙面探針臺(tái)、真空探針臺(tái)、）、顯微鏡成像、光電一體化的技術(shù)研發(fā)，擁有國(guó)內(nèi)專業(yè)的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在探針臺(tái)電學(xué)量測(cè)方面擁有近十年的經(jīng)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)。微電容單通道叉指電極探針臺(tái)微電容單通道叉指電極探針臺(tái)KT-Z4019MRL4T真空腔體類型高溫型室溫到400℃高低溫型 室溫到400℃    室溫到-196℃腔體材質(zhì)304不銹鋼 6061鋁合金 可選腔體內(nèi)尺寸127mmX57mmX20mm腔體外尺寸150mmX80mmX32mm腔體重量不銹鋼材質(zhì) 約1.5KG     鋁合金材質(zhì) 約0.5KG腔體上視窗尺寸Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離）腔體抽氣口KF16法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接）腔體真空測(cè)量口KF16法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接）腔體進(jìn)氣口6mm快擰 或 6mm快插腔體冷卻方式腔體水冷+上蓋氣冷腔體水冷接口腔體正壓≤0.05MPa腔體真空度機(jī)械泵≤5Pa （5分鐘）  分子泵≤5E-3Pa（30分鐘）樣品臺(tái)樣品臺(tái)材質(zhì)不銹鋼 銀銅合金 純銀塊銀銅合金 純銀塊樣品臺(tái)尺寸26x26mm樣品臺(tái)加熱方式電阻加熱電阻加熱 液氮制冷樣品臺(tái)-視窗 距離11mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離到6mm）樣品臺(tái)測(cè)溫傳感器PT100型熱電阻樣品臺(tái)溫度室溫到400℃室溫到400℃  室溫到-196℃樣品臺(tái)測(cè)溫誤差±0.5℃樣品臺(tái)升溫速率高溫100℃/min 值     低溫7℃/min溫控儀溫度顯示7寸人機(jī)界面溫控類型標(biāo)準(zhǔn)PID溫控 +自整定溫度分辨率0.1℃溫控精度±0.5℃溫度信號(hào)輸入類型PT100   （可選K  S  B型熱電偶）溫控輸出直流線性電源加熱直流線性電源加熱+液氮流速控制器輔助功能溫度數(shù)據(jù)采集并導(dǎo)出 實(shí)時(shí)溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴(kuò)展真空讀數(shù)接口溫控器尺寸32cmX170cmX380cm溫控器重量約5.6KG探針電信號(hào)接頭配線轉(zhuǎn)接 BNC接頭   BNC三同軸接頭  SMA 接頭 香蕉插頭 線長(zhǎng)1.2米電學(xué)性能絕緣電阻 ≥4000MΩ     介質(zhì)耐壓 ≤200V    電流噪聲 ≤10pA探針數(shù)量4探針（可擴(kuò)展5探針）探針材質(zhì)鍍金鎢針 （其他材質(zhì)可選）探針尖10μm手動(dòng)探針移動(dòng)平臺(tái)X軸移動(dòng)行程20mm      ±10mm（需手動(dòng)推動(dòng)滑臺(tái)）X軸控制精度≥500μmR軸移動(dòng)行程120°      ±60°（需手動(dòng)旋轉(zhuǎn)探針桿）R軸控制精度≥500μmZ軸移動(dòng)行程2mm      ±1mmZ軸控制精度≤50μm（需手動(dòng)螺紋調(diào)節(jié)探針桿）
    

    
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    2023-07-29 15:20:25高低溫探針臺(tái)-解釋塞貝克系數(shù)測(cè)量原理及系數(shù)
    

    塞貝克系數(shù)（Seebeck Coefficient）也稱為熱電偶效應(yīng)或Seebeck效應(yīng)，是指兩種不同導(dǎo)體（或半導(dǎo)體）材料在一定溫差下產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。塞貝克系數(shù)是研究熱電材料（將熱能轉(zhuǎn)化為電能的材料）非常重要的一個(gè)參數(shù)，它用來衡量材料在一定溫差下產(chǎn)生的熱電壓。 塞貝克系數(shù)的測(cè)量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。首先準(zhǔn)備一個(gè)熱電偶，它由兩種不同材料的導(dǎo)線組成。然后將熱電偶的其中一個(gè)節(jié)點(diǎn)保持在恒定的高溫T1，而另一個(gè)節(jié)點(diǎn)保持在低溫T2（不同于T1），使熱電偶產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)（熱電壓）。通過測(cè)量恒流狀態(tài)下的電壓值V以及溫差ΔT，可以計(jì)算出塞貝克系數(shù)： S = V / ΔT。 另外，還有一些其他的測(cè)量方法如閉環(huán)法、開路法等，各種方法都有其優(yōu)缺點(diǎn)，具體選擇哪種方法取決于實(shí)際的測(cè)試環(huán)境和需求。解釋塞貝克系數(shù)測(cè)量原理。塞貝克系數(shù)（也稱為Seebeck系數(shù)）是一個(gè)描述一個(gè)材料熱電效應(yīng)特性的參數(shù)，具體地說，它表示了一個(gè)材料中的電流與橫向溫差將產(chǎn)生的電壓之間的關(guān)系。測(cè)量塞貝克系數(shù)的原理主要基于Seebeck效應(yīng)。Seebeck效應(yīng)是指在一種導(dǎo)體材料中，當(dāng)兩個(gè)不同導(dǎo)體之間有一個(gè)溫差時(shí)，將產(chǎn)生一個(gè)電壓。 測(cè)量塞貝克系數(shù)的實(shí)驗(yàn)裝置通常包括以下部分：1. 絕熱材料底座：確保測(cè)試樣品的溫度穩(wěn)定。2. 樣品夾持器：保持測(cè)試樣品的固定。3. 加熱器：用于在樣品的一端創(chuàng)建溫差，從而在樣品中產(chǎn)生Seebeck電壓。4. 冷卻器：在樣品的另一端保持較低的溫度。5. 熱電偶：用于測(cè)量樣品兩端的溫差。6. 電壓測(cè)量?jī)x器：用于測(cè)量生成的Seebeck電壓。    在測(cè)量過程中，首先將測(cè)試樣品固定在夾持器中，然后通過在樣品的一端加熱和在另一端冷卻來創(chuàng)建穩(wěn)定的溫差。Seebeck電壓將在樣品兩端形成，然后可以使用電壓測(cè)量?jī)x器將其測(cè)量出來。計(jì)算塞貝克系數(shù)所需的公式是： Seebeck系數(shù) = (產(chǎn)生的電壓) / (熱電偶測(cè)量的溫差) 通過測(cè)量此特定溫差下生成的Seebeck電壓，我們可以計(jì)算出材料的塞貝克系數(shù)。
    

    
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    2023-07-08 15:42:40真空高低溫探針臺(tái) 用于傳感器 半導(dǎo)體 光電集成電路以及封裝的測(cè)試
    

    型號(hào) KT-0904T-RL 加熱制冷 KT-0904T 不帶加熱制冷 KT-0904T-R 加熱 類型 加熱型 400℃ 加熱制冷型室溫到-190℃-350℃ 低溫型：室溫到-190℃ 腔體材質(zhì) 304 不銹鋼 腔體內(nèi)尺寸 φ90x40mm 腔體上視窗尺寸 Φ42mm（選配凹視窗Φ22mm） 腔體抽氣口 KF16 腔體進(jìn)氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體出氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體正壓 ≤0.05MPa 腔體真空度 機(jī)械泵≤5Pa （5 分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30 分鐘） 樣品臺(tái) 樣品臺(tái)材質(zhì) 304 不銹鋼 樣品臺(tái)尺寸 26X26mm 樣品臺(tái)-視窗 距離 30mm（可選凹視窗間距 15mm） 樣品臺(tái)測(cè)溫傳感器 A 級(jí) PT100 鉑電阻 樣品臺(tái)溫度 室溫到 350℃（可選高低溫樣品臺(tái) 高溫 350℃低溫-190℃） 樣品臺(tái)測(cè)溫誤差 ±0.2℃ 樣品臺(tái)變溫速率 高溫 10℃/min 低溫 5℃/min 溫控儀
    

    
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    錐形光纖探針
    

    

    

    MFG-100
    

    Moku Lab
    

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    錐形光纖探針
    

    

    

    

    










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