分享 收藏

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

品牌：華科智源
型號(hào)： HUSTEC-1600A-MT
產(chǎn)地：廣東深圳
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：面議

深圳市華科智源科技有限公司更新時(shí)間：2025-04-29 10:27:52

銷(xiāo)售范圍售全國(guó)

入駐年限第2年

營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核

同類(lèi)產(chǎn)品靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀(83件)

立即掃碼咨詢

聯(lián)系方式：400-822-6768

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明在儀器網(wǎng)（www.vietnamtrade.org）上看到的!

掃碼分享

為您推薦

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 核心參數(shù)

主機(jī)尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）mm	質(zhì)量	30kg
海拔高度	海拔不超過(guò) 1000m	儲(chǔ)存環(huán)境	-20℃～50℃
工作環(huán)境	15℃～40℃	相對(duì)濕度	20%RH ~ 85%RH
大氣壓力	86Kpa～ 106Kpa	防護(hù)	無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求	AC220V，±10%	電網(wǎng)頻率	50Hz±1Hz

產(chǎn)品特點(diǎn)

華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件

詳細(xì)介紹

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

一：IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

二：華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車(chē)，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

三、華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)特征：

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；

序號(hào)	測(cè)試項(xiàng)目	描述	測(cè)量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?/p>	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時(shí),0.1A	≤200A時(shí),±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時(shí),1A	＞200A時(shí),±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV