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    蘇州華萃μ-CHAMBER 超高真空磁屏蔽腔體

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    詳細介紹

    產(chǎn)品詳細

    • μ - CHAMBER是采用純μ金屬或不銹鋼腔體和雙(單)層μ金屬內(nèi)襯制作而成的超高真空腔體。

    • 在滿足超高真空要求的同時,可將腔體中心的殘余磁場屏蔽至最 優(yōu)1mGauss以下。


    具體參數(shù)

    • 磁屏蔽結(jié)構(gòu)
      純μ金屬 或 316L不銹鋼腔體+μ金屬內(nèi)襯
    • 殘余磁場
      典型值≤ 5 mGauss;最 優(yōu)值≤ 1 mGauss
    • 腔體結(jié)構(gòu)
      標準型或定制
    • 漏率
      ≤ 1×10^-10 mbar*L /s


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