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功率半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備

品牌：普賽斯儀表
型號(hào)： PMST-2200V
產(chǎn)地：湖北武漢
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：￥1000

武漢普賽斯儀表有限公司更新時(shí)間：2025-04-27 08:59:57

銷(xiāo)售范圍售全國(guó)

入駐年限第6年

營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核

同類(lèi)產(chǎn)品功率器件測(cè)試系統(tǒng)(65件)

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為您推薦

功率半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備核心參數(shù)

集電極-發(fā)射極最大電壓	3500V	集電極-發(fā)射極最大電流	6000A
漏電流測(cè)試范圍	1nA~100mA

產(chǎn)品特點(diǎn)

武漢普賽斯功率半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)

詳細(xì)介紹

PMST系列功率半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專(zhuān)家。

針對(duì)用戶(hù)不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線(xiàn)半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

實(shí)驗(yàn)室.png

產(chǎn)線(xiàn)半自動(dòng).png

從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線(xiàn)的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、高電壓、大電流

具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV）

具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測(cè)量

nA級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

0.1％精度測(cè)量

四線(xiàn)制測(cè)試

3、模塊化配置

可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

4、測(cè)試效率高

內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

5、軟件功能豐富

上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用

支持曲線(xiàn)繪制

自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴(kuò)展性好

支持常溫及低溫、高溫測(cè)試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用

硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)

1、大電流輸出響應(yīng)快，無(wú)過(guò)沖

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過(guò)程響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。測(cè)試過(guò)程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs，脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來(lái)的誤差。

2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開(kāi)響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止器件因過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致?lián)p壞。