荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

產(chǎn)品特點

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)，脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術(shù)。

詳細介紹

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)

產(chǎn)品描述：荷蘭TSST公司提供專業(yè)的脈沖激光沉積系統(tǒng)和激光分子束外延系統(tǒng)。

荷蘭Twente Solid State Technology BV（TSST）公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD），以及相關(guān)薄膜制備解決方案，公司具有20多年研究與生產(chǎn)脈沖激光沉積系統(tǒng)的經(jīng)驗。

TSST與世界Z大的納米與微系統(tǒng)技術(shù)研究中心之一荷蘭Twente大學MESA+ Institute保持著密切合作，開發(fā)出各種脈沖激光沉積技術(shù)中需要使用的核心技術(shù)。

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的外延薄膜生長技術(shù)。

在高氧氣壓力環(huán)境下實現(xiàn)RHEED原位監(jiān)控，曾是RHEED分析的一個重要難題，TSST第一個提出差分抽氣的方式實現(xiàn)高壓環(huán)境下RHEED原位監(jiān)控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的發(fā)明人，在系統(tǒng)制造和RHEED的使用，以及結(jié)果分析方面，有豐富的經(jīng)驗。

選件

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領(lǐng)域： 

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質(zhì)薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V2O5，PZT）