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    卓立漢光 常溫型銦鎵砷探測(cè)器

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    常溫及TE制冷型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8-2.6μm

    詳細(xì)介紹

    產(chǎn)品概述

    常溫型銦鎵砷探測(cè)器(常溫型InGaAs探測(cè)器)

    ●  DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)InGaAs元件
    ●  DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
    ●  DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件


    光譜響應(yīng)度曲線參考圖

    常溫型銦鎵砷探測(cè)器型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo):
      型號(hào)/參數(shù)DInGaAs1650DInGaAs1700-R03MDInGaAs2600-R03M
    光敏面直徑(mm)333
    波長(zhǎng)范圍(nm)800-1700800-1700800-2600
    峰值響應(yīng)度(A/W, *小)0.850.91.1
    暗電流(nA, *大)2001001mA
    D*(典型值)-2.3×10124.1×1010
    NEP(典型值)-1.2×10-136.5×10-12
    阻抗(MΩ)11.5320Ω
    電容(pF)15008009000
    響應(yīng)時(shí)間(ns)1601001μs
    信號(hào)輸出模式電流電流電流
    輸出信號(hào)極性正(P)正(P)正(P)


    解決方案

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