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    產(chǎn)品中心

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    Leica EM TIC 3X 三離子束切割儀

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    Leica EM TIC 3X通過離子槍激發(fā)獲得的離子束,以垂直于樣品側(cè)面縱向轟擊樣品,可獲得高質(zhì)量無應(yīng)力“切割”截面,以用于掃描電子顯微鏡(SEM),顯微結(jié)構(gòu)分析(EDS,WDS,Auger,EBSD)和AFM研究、觀察。

    詳細(xì)介紹

    高通量,提高成本收益

    • 可獲得高質(zhì)量切割截面,區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1 mm。

    • 多樣品臺(tái)設(shè)計(jì)可一次運(yùn)行容納三個(gè)樣品。

    • 離子研磨速率高,Si 材料 150 μm/h,50 μm 切割高度,可滿足實(shí)驗(yàn)室高通量要求。

    • 可容納最大樣品尺寸為 50×50×10 mm。

    • 可使用的樣品載臺(tái)多種多樣。

    簡(jiǎn)單易用,高精度

    • 可簡(jiǎn)易準(zhǔn)確地完成將樣品安裝到載臺(tái)上以及調(diào)節(jié)與擋板相對(duì)位置的校準(zhǔn)工作。

    • 通過觸摸屏進(jìn)行簡(jiǎn)單操控,不需要特別的操作技巧。

    • 樣品處理過程可實(shí)時(shí)監(jiān)控,可以通過體視鏡或 HD-TV 攝像頭觀察。

    • LED照明,便于觀察樣品和位置校準(zhǔn)。

    • 內(nèi)置式,解耦合設(shè)計(jì)的真空泵系統(tǒng),提供一個(gè)無振動(dòng)的觀察視野。

    • 可在制備好的平整的切割截面上可再進(jìn)行襯度增強(qiáng)作用,即離子束刻蝕處理。

    • 幾乎適用于任何材質(zhì)樣品。

    • 使用冷凍樣品臺(tái),擋板和樣品溫度可降至-150 °C。

    多種多樣的樣品載臺(tái)

         幾乎適合于各式尺寸樣品,并適合于廣泛用途。如用一個(gè)樣品托,就可以完成前機(jī)械預(yù)制備(Leica EM TXP)至離子束切割(Leica EM TIC 3X),以及 SEM 鏡檢,然后再放入樣品存儲(chǔ)盒中以備后續(xù)檢測(cè)。

    襯度增強(qiáng)作用

         在離子束切割之后,無需取下樣品,用同樣的樣品載臺(tái)還可對(duì)樣品進(jìn)行襯度增強(qiáng)作用,可以強(qiáng)化樣品內(nèi)不同相之前的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如晶界)。

    人體工學(xué)設(shè)計(jì),簡(jiǎn)單易用;與LeicaEMTXP相兼容。

    技術(shù)參數(shù)

    樣品尺寸

    可容納樣品尺寸50X50X10mm,可獲得有效切割截面面積>4mmX1mm

    表面拋光最大可容納樣品φ38mm,厚度12mm

    離子槍

    離子槍類型

    3 只鞍式離子槍,獨(dú)立電源控制。

    離子束能量

    1 keV - 10 keV

    離子束電流

    0.5 - 4.5 mA,0.1 mA 步長調(diào)節(jié) (單個(gè)離子槍)

    離子束密度

    10 mA/cm2(單個(gè)離子槍)

    切割速率(邊緣 50 μm 處)

    2.5 μm/min (100% Si:10 keV,3.5 mA)

    陰極使用壽命

    > 350 h(8 kV,3.0 mA)

    工作氣體

    氬氣,純度 99.999%(也可以使用其他氣體)。

    輸入氣壓 0.2 - 0.8 bar

    觀察系統(tǒng)

    S6E(16771437):最大放大倍率(40 x)、分辨率(~ 12 μm)。

    M80(16771438):最大放大倍率(77 x)、分辨率(~ 7 μm)。

    M80(16771439):最大放大倍率(23 x)、分辨率(~ 3 μm)。
    樣品臺(tái)

    可選配:液氮制冷冷臺(tái)-150°至30°,25L液氮罐及自動(dòng)泵,具有自動(dòng)快速制冷功能

    可選配:三樣品臺(tái),可一次連續(xù)處理三個(gè)樣品

    可選配:旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái),用于對(duì)樣品進(jìn)行離子束拋光

    環(huán)境條件

    濕度

    ≤ 80%(無冷凝水)。

    溫度

    15 °C - 30 °C

    海拔

    低于2000 m

    設(shè)備污染指數(shù)(IEC 61010-1)

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