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    德國布魯克 平插式能譜儀QUANTAX FlatQUAD

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    詳細(xì)介紹

    • 產(chǎn)品特點(diǎn)

    • 無與倫比的高通量
      分析敏感樣品

    • 詳細(xì)介紹


    • 產(chǎn)品亮點(diǎn):

      1nm
      空間分辨率

      SEM 中的納米級分辨率


      >1.1sr
      最 高固體角

      固體角代表探測器采集樣品產(chǎn)生的 X 射線的幾何收集效率


      2,400
      kcps
      高通量
      比傳統(tǒng)的 EDS 探測器快 4 倍


      QUANTAX FlatQUAD - 突破傳統(tǒng) SDD 的極限

      QUANTAX FlatQUAD 是基于革命性 XFlash? FlatQUAD 的 EDS 分析系統(tǒng)。這種環(huán)形四通道硅漂移探測器實驗時位于SEM極靴和樣品之間,在EDS測試中實現(xiàn)最 大固體角。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 分析軟件套件相結(jié)合,即使是對于最 困難的EDS樣品,可以提供無與倫比的面分析性能。


      最 大限度地提高您的效率

      Bruker XFlash? FlatQUAD 探測器獨(dú)特的環(huán)形設(shè)計以及它在 SEM 極片和樣品之間的位置,可帶來無與倫比的固體角,直接對應(yīng)為更快的測量速度。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 軟件套件一起,提供理想的儀器軟硬件,用于分析最 低電流才穩(wěn)定的敏感樣品或極為粗糙的樣品。

      XFlash? FlatQUAD還可以將您的 SEM 或 FIB 轉(zhuǎn)換為低電壓的 STEM,以更及時、更經(jīng)濟(jì)高效的方式實現(xiàn)最 高的空間和光譜分辨率。

      如果要從電子透明樣品中獲得更多信息,比如晶體學(xué)信息,可以請將 XFlash? FlatQUAD與布魯克 EBSD 改裝的 TKD 探測器結(jié)合使用。


      您的分析挑戰(zhàn)是什么?


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      由于荷電效應(yīng)和電子束帶來的損傷,基于 SEM 的非破壞性 EDS 分析非導(dǎo)電(自然)生命科學(xué)樣品極其困難。此外,形貌圖和由此產(chǎn)生的陰影效果會影響結(jié)果的質(zhì)量。布魯克 XFlash? FlatQUAD 專為克服這些限制而設(shè)計,如希臘雅典愛琴海附近的海膽樣品(帕拉森特·利維杜斯)如當(dāng)前示例所示。

      圖 1-3 顯示了基于 SEM 的 EDS 面分析圖,其中顯示了海膽的各種細(xì)節(jié)。圖1中,在右側(cè)以綠松石顯示脊柱管狀,而左側(cè)的綠色和綠松石鐵鏟狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)為微小的脊柱。在顯微圖的中心,單個沙粒是可辨別的紅色。該圖是在 6 kV 加速電壓和低電流,使用環(huán)形 SDD(XFlash ? FlatQUAD ) 在高真空條件下采集的,無需任何樣品制備(無碳涂層或拋光)。

      這種獨(dú)特的環(huán)形 EDS 探測器被放置在樣品上方,就像 BSE 探測器一樣。XFlash? FlatQUAD 具有極高的靈敏度,可在 X 射線產(chǎn)量情況下,最 大限度地減少樣品的陰影效應(yīng),因此是面分析粗糙表面、束流敏感樣品的完 美工具。而這樣的樣品通常就像某些生命科學(xué)樣品一樣。


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      二硫化鉬(MoS2)是一種工業(yè)上重要的材料,因為它是鉬的主要礦石。它具有廣泛的應(yīng)用,例如汽車和機(jī)械加工的固體潤滑劑,化學(xué)工業(yè)的催化劑,半導(dǎo)體工業(yè)的間接帶隙材料。
      EDS 光譜中具有強(qiáng)重疊峰的材料的解卷積和定量一直是分析方面的難點(diǎn)。MoS2中硫的 K 線與鉬的 L 線具有強(qiáng)烈峰重疊。我們使用XFlash? FlatQUAD,布魯克一種特殊的高性能EDS探測器獲得MoS2的EDS點(diǎn)分析能譜(圖1所示)。使用布魯克的ESPRIT2分析軟件對光譜進(jìn)行解卷積和定量。ESPRIT強(qiáng)大的解卷積和擬合方法能夠正確識別和擬合各個峰值的重疊情況(圖 2,圖 3)。能譜的無標(biāo)樣定量使Mo和S的原子濃度非常接近測量濃度。


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      工程鋼中鈮元素分布圖

      鈮(Nb)作為微合金工程中的添加劑被廣泛研究。眾所周知,在鋼中添加鈮可顯著提高其硬度和耐腐蝕性,這使得含鈮合金材料在航空航天、汽車和結(jié)構(gòu)工程中被廣泛使用。

      在這里,我們介紹用布魯克的XFlash? FlatQUAD探測器(圖1)在10 kV加速電壓條件下,以187.4 kcps的高計數(shù)率獲得的鈮微合金的EDS面分析。盡管加速電壓和電流(912 pA)較低,依然可實現(xiàn)約350nm的有效空間分辨率(圖4),這一點(diǎn)對于用EDS解決鈮的精細(xì)結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。本應(yīng)用示例使用布魯克的 XFlash? FlatQUAD 探測器,將速度和分辨率與 EDS技術(shù)相結(jié)合。


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      Cu(In, Ga)Se2是一種低成本、高效率的太陽能電池材料,目前已經(jīng)市場化。了解CIGS太陽能電池中多層材料在不同過程條件下的化學(xué)成分,對于進(jìn)一步提高太陽能廣電轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要。此處顯示的是使用 XFlash? FlatQUAD EDS 探測器獲得的 CIGS 太陽能電池的 FIB/TEM 的EDS 面分析圖。


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      Si/C 核/殼結(jié)構(gòu)納米顆粒的超高分辨率元素面分析

      對于束流敏感樣品(如 Si 納米顆粒)的 EDS 分析,通常需要非常低的電流和/或非常短的測量時間。然而當(dāng)需要高空間分辨率時,有必要使用低電壓來降低電子與樣品相互作用體積。對于傳統(tǒng)的 EDS 測試而言,這種分析條件極具挑戰(zhàn)性,因為低電壓的 X 射線產(chǎn)率非常低,這就對應(yīng)很長的測量時間。而長時間的測量,很可能因為束流引起的樣品漂移而影響空間分辨率。

      使用XFlash 和 FlatQUAD? EDS 測量則克服了這些限制。XFlash? FlatQUAD具有獨(dú)特的探測幾何構(gòu)型,可對低 X 射線產(chǎn)量的材料實現(xiàn)高靈敏度檢測,在低電流下提供高計數(shù)率。因此,XFlash? FlatQUAD EDS 是面分析束流敏感材料(即使具有粗糙表面)的的理想之選。

      本示例提供硅納米顆粒的高分辨率圖(像素間距僅為 2 nm!測試參數(shù)為 5 kV、520 pA 和 377 s 采集時間,使用 XFlash FlatQUAD 進(jìn)行表征)。結(jié)果表明,這些納米顆粒的結(jié)構(gòu)為硅核(綠色)和碳?xì)ぃt色)。

      Data courtesy:S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577


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