-
-
PlasmaPro 80 PECVD牛津等離子沉積機(jī)
- 品牌:牛津儀器
- 型號(hào): PlasmaPro 80 PECVD
- 產(chǎn)地:歐洲 英國(guó)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):面議
-
深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司
更新時(shí)間:2025-04-30 08:50:10
-
銷(xiāo)售范圍售全國(guó)
入駐年限第7年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類(lèi)產(chǎn)品英國(guó)Oxford 離子刻蝕/沉積/去膠機(jī)(17件)
立即掃碼咨詢(xún)
聯(lián)系方式:13538131258
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明在儀器網(wǎng)(www.vietnamtrade.org)上看到的!
掃 碼 分 享 -
為您推薦
產(chǎn)品特點(diǎn)
- · 小尺寸系統(tǒng)——易于安置
· 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制
· 高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱(chēng))抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率
· 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
· 近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度
· 關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
· X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力, 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
· 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快
· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)——在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
· 用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)—— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) 詳細(xì)介紹
- 產(chǎn)品詳情
PlasmaPro 80 PECVD牛津等離子沉積機(jī)
?
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
。直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓
。出色的刻蝕控制和速率測(cè)定
。出色的晶圓溫度均勻性
。晶圓最大可達(dá)200mm
。購(gòu)置成本低
。符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用:
· 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
系統(tǒng)特點(diǎn):
· 小尺寸系統(tǒng)——易于安置
· 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制
· 高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱(chēng))抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率
· 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
· 近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度
· 關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
· X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力, 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
· 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快
· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)——在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
· 用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)—— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
您可能感興趣的產(chǎn)品
-
PlasmaPro 80 PECVD牛津等離子沉積機(jī)
-
PlasmaPro 80 ICPCVD 英國(guó)Oxford 牛津等離子沉積機(jī)
-
英國(guó)Oxford 牛津等離子沉積機(jī)
-
PlasmaPro 80 RIE 牛津等離子體刻蝕機(jī)
-
牛津等離子體刻蝕機(jī) PlasmaPro 80 RIE
-
英國(guó)牛津OXFORD 等離子體刻蝕機(jī) PlasmaPro 80 ICP
-
PlasmaPro 80 ICP 英國(guó)牛津OXFORD 等離子體刻蝕機(jī)
-
PECVD沉積
-
PECVD Depolab 200 等離子體沉積機(jī)
-
PlasmaPro 100 ALE牛津原子層刻蝕機(jī)
-
Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80
-
PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)
-
廠(chǎng)商推薦產(chǎn)品