澤攸透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統(tǒng)

PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)

PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng),是在標準外形的透射電鏡樣品桿內加裝掃描探針控制單元,通過探針對單個納米結構進行操縱和電學測量。

PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)，是在標準外形的透射電鏡樣品桿內加裝掃描探針控制單元，通過探針對單個納米結構進行操縱和電學測量，并可在電學測量的同時，動態(tài)、高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態(tài)進行綜合表征，大大地擴展了透射電子顯微鏡的功能與應用領域。

透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)在標配的STM-TEM樣品桿上集成低溫環(huán)境控制單元，從而實現(xiàn)在透射電鏡中進行原位低溫電學測量的目的。

性能指標

 透射電鏡指標：

● 兼容指定電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

● 保證透射電鏡原有分辨率。

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

● 電流分辨率：優(yōu)于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

低溫參數(shù)指標：

● 兼容指定型號透射電鏡及極靴；

● 全溫區(qū)結構分辨率優(yōu)于0.2 nm；

● 變溫范圍為85 K-380 K，溫度穩(wěn)定性優(yōu)于±0.1 K。

產品特色

（1）溫度連續(xù)可控，穩(wěn)定性高；

（2）低溫下可實現(xiàn)對樣品施加應力及電學研究；

（3）穩(wěn)定性高：輕松獲得大幅度運動中的高分辨像，適用于更廣泛的應用場景和樣品體系；

  （4）很長的壽命：專利技術（專利種類：實用新型（具備高分辨多維操縱和電學測量的電子顯微鏡原位樣品桿） 專利號：202020944865 .4）的“爪-球”結構探針桿因其獨特的結構設計，是公認皮實耐用的探針桿；

  （5）很低維護成本：設備配套的針尖制備系統(tǒng)可低成本制備針尖耗材?！弊?球“微動結構已實現(xiàn)模塊化量產，維護成本低；

  （6）很大的用戶群：在國內擁有近200個高質量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產出大量高質量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術平臺供用戶交流；

  （7）成熟的技術支持網絡：在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司，其他各地擁有若干技術支持網點，24小時提供技術支持。