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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐
- 品牌:美國(guó)Quantum Design
- 型號(hào): LFZ-2kW
- 產(chǎn)地:美洲 美國(guó)
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):面議
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QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司
更新時(shí)間:2025-05-26 09:44:23
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銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第10年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品樣品制備(54件)
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產(chǎn)品特點(diǎn)
- -采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻;
-更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力;
-采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)。 詳細(xì)介紹
新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ
Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!
應(yīng)用領(lǐng)域
可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。
激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):
● 采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻
● 更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力
● 采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)
RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物
新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):
加熱控制 加熱類型 5束激光 激光功率 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選 熔區(qū)溫度 2600℃ ~ 3000℃* 晶體生長(zhǎng)控制 晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)長(zhǎng)度 150mm* 晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)直徑 8mm* 晶體生長(zhǎng)大速度/轉(zhuǎn)速 300mm/hr; 100rpm 樣品腔可施加大壓力 10bar 樣品腔氣氛 多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配 晶體生長(zhǎng)監(jiān)控 高清攝像頭 晶體生長(zhǎng)控制 PC控制 *具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件
應(yīng)用案例
采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例:
Ruby
Dy2Ti2O7
BaTiO3
Sr2RuO4
SmB6
Ba2Co2Fe12O22
Y3Fe5O12
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學(xué)
日本國(guó)立材料研究所
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