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    新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    -采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻;

    -更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力;

    -采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)。

    詳細(xì)介紹

    新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ


    6.PNG

           Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!


    應(yīng)用領(lǐng)域

    可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。


           激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):


    ● 采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻 

    ● 更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力

    ● 采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)


    RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物


    新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù): 


    加熱控制加熱類型5束激光
    激光功率 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選
    熔區(qū)溫度2600℃ ~ 3000℃*
    晶體生長(zhǎng)控制      晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)長(zhǎng)度150mm*
    晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)直徑8mm*
    晶體生長(zhǎng)大速度/轉(zhuǎn)速  300mm/hr; 100rpm
    樣品腔可施加大壓力10bar
    樣品腔氣氛多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配
    晶體生長(zhǎng)監(jiān)控高清攝像頭
    晶體生長(zhǎng)控制PC控制


                                                     *具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件


    應(yīng)用案例


    采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例:

     

    Ruby

    Dy2Ti2O7

    BaTiO3


     Sr2RuO4

     SmB6

     Ba2Co2Fe12O22


    Y3Fe5O12

                   * 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供


    用戶單位

    東京大學(xué)

    日本國(guó)立材料研究所



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