蘇州晶格M-3便攜式手持式方塊電阻測試儀

一、結(jié)構(gòu)特征

 M3手持式四探針測試儀主機                       配ST2253-F01鎢針探頭測試硅片              配ST2558B-F01薄膜探頭測試ITO膜

二、概述

2.1基本功能和依據(jù)標準：

  M3手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試材料電阻率/方塊電阻的多用途、高性價比測量儀器。

該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》等國標并參考美國 A.S.T.M 標準。

    2.2配套組成：標準配置由M-3型主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺當臺式機使用。

2.3優(yōu)勢特征：

1美觀適用：彩色流線型手持式面板、帶防滑墊，符合人體工程學設計。適合手持式變動場合操作使用，也可以定制小型旅行手提箱包裝，便于野外或旅行使用。

2高精度：帶完善厚度、形狀修正功能，測試jing準。同行中手持式多為簡易程序，沒有完整修正功能，無法修正誤差。

3寬量程：超寬五個檔位，相當于中檔臺式機的量程，同行中手持式多為兩到三個檔位，測試范圍有限，適應性不廣。

4操作簡便、性能穩(wěn)定：輕觸數(shù)字化鍵盤實現(xiàn)參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換，簡便而且免除模擬定位器的不穩(wěn)定易受干擾。

5手動/自動一體化：

6顯示方式美觀清晰：由高亮綠色數(shù)碼和ＬＥＤ數(shù)字表頭顯示，不怕環(huán)境背景暗或野外強光；

7待機和工作時間長（不小于兩天），有大容量可充電鋰電池電池供電，環(huán)保耐用。

2.4探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。詳情見《四探針探頭型號規(guī)格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭，如ST2253-F01型，以測試硅等半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭，如ST2558B-F01型，可測金屬箔、碳紙等導電薄膜，也可測陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導電涂層膜，如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。

3配專用箔上涂層探頭，如ST2558B-F02型，也可測試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。

4換上四端子測試夾具，還可對電阻器的體電阻進行測量。

2.5測試臺選配：根據(jù)不同材料特性需要，測試臺可有多款選配。詳情見《四探針測試臺型號規(guī)格特征選型參照表》

四探針法測試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型（電動）或SZT-C型（快速恒壓）測試臺。

二探針法測試細長棒類材料選配SZT-K型測試臺.

平行四刀法測試橡塑材料選配SZT-G型測試臺。

2.6適用范圍：手持式使用，儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針法對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。 

。

三、基本技術參數(shù)

1.測量范圍、分辨率

電    阻：     0.010Ω～ 50.00kΩ,     分辨率0.001Ω～ 10 Ω

電 阻 率：     0.010Ω-cm～ 20.00kΩ-cm， 分辨率0.001Ω～ 10 Ω-cm

方塊電阻：     0.050Ω/□ ～ 100.00kΩ/□   分辨率0.001Ω～ 10 Ω/□

2.可測材料尺寸

手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下：

直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm。

SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。

長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。.

測量方位: 軸向、徑向均可.

3.量程劃分及誤差等級（括號內(nèi)為拓展量程）

4)充電器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電DC3.7V.

5)外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重：≤0.3kg