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    德國Freiberg Instruments 電阻率測試儀(RESmap )

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    產(chǎn)品特點

    德國Freiberg Instruments 電阻率測試儀(RESmap )在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性 Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

    詳細(xì)介紹

    產(chǎn)品介紹:

    在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]     


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    電渦流傳感器的測量原理


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    中心處可實現(xiàn)較大的準(zhǔn)確性和精確度


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    4H-SiC晶圓整個生長面區(qū)域的電阻率變化測量


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    硅晶圓電阻率變化測量 — 面掃描、分布和線掃描   


    特征 


    電阻率的非接觸式測量和成像高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化
    信號靈敏度基于線圈頻率讀數(shù)(正在申請專 利)的高信號靈敏度,可實現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測量,并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性
    測量時間測量時間 < 3 s,測量之間時間 < 1 s
    測量速度200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s,9個點
    多點測量及測繪顯示不超過9999個點
    材料外形尺寸平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜
    X-Y位置分辨率≥ 0.1mm
    邊緣扣除 5 mm
    可靠性模塊化、緊湊的臺式儀器設(shè)計,可靠性高,正常運行時間 > 99%
    電阻率測量的重復(fù)性≤ 0.15%,基于使用ANOVA   Gage R&R方法對材料系統(tǒng)分析(MSA)


    更多技術(shù)規(guī)格和配置選項:  

    為自動化流程做準(zhǔn)備

    可用于不同的平臺

    測量方法符合

    SEMI MF673標(biāo)準(zhǔn)

    數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)有效性檢查

    使用NIST標(biāo)準(zhǔn)

    校準(zhǔn)精度

    ±1%

    集成紅外溫度傳感器 ±0.1°

    允許報告標(biāo)準(zhǔn)溫度下的電阻率,(與樣品的實際溫度不同)

    樣品厚度校準(zhǔn)

    對于高頻信號穿透深度大于穿透深度的樣品

    電力要求

    100-250 VAC, 5 A

    尺寸

    465 ′ 550 ′ 600 mm

    軟件控制

    配備Window10或新版本的標(biāo)準(zhǔn)PC,2個以太網(wǎng)端口


    用戶友好且先進(jìn)的操作軟件:         

    ◇  電阻率測量配方;        

    ◇  導(dǎo)出/導(dǎo)入功能和原始數(shù)據(jù)訪問;        

    ◇  多級用戶賬戶管理;

    ◇  所有執(zhí)行的測量概覽;

    ◇  繪圖選項(線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義圖案);

    ◇  分析功能包;統(tǒng)計、方差分析、溫度校正函數(shù)和數(shù)據(jù)庫;

    ◇  遠(yuǎn)程訪問;基于互聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持;



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