半導體參數(shù)分析儀RTM2-霍爾源測系統(tǒng)

產品介紹：

半導體參數(shù)分析儀RTM2-霍爾源測系統(tǒng)

昊量光電全新推出的半導體參數(shù)分析儀RTM2-霍爾源測系統(tǒng)。利用半導體參數(shù)分析儀RTM2的集成開關矩陣實現(xiàn)無限的精度和穩(wěn)定性用于片狀、霍爾和電阻張量的測量。

半導體參數(shù)分析儀RTM2主要功能：

1. 半導體參數(shù)分析儀RTM2專為自動精密測量電阻和相關量而設計。半導體參數(shù)分析儀RTM2將直流和交流測量與獨特的集成開關矩陣結合在一起。

2. 半導體參數(shù)分析儀RTM2具有鎖定放大器的低噪、具有高端萬用表 8 位以上的動態(tài)范圍和無與倫比的穩(wěn)定性，可研究 ppb 級效應。nΩ研究變得前所未有的簡單。

3. 創(chuàng)新的連接器設計允許傳統(tǒng)的 BNC 操作與被動屏蔽或主動防護屏蔽。這將直流阻抗上限擴展到了 Tera-Ohm 范圍，并將交流帶寬提高了約兩個數(shù)量級，以測試MΩ器件。

4. 半導體參數(shù)分析儀RTM2只需一臺設備就能自動記錄完整的電阻張量（Rx、Ry、RH），即使是在無圖案的薄膜上。

5. 半導體參數(shù)分析儀RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及傳感器、晶片和設備測試。在快速多路復用設置中進行交流測試的獨特能力，可在現(xiàn)場生產過程中實現(xiàn)更嚴格的元件分選。

   
   

   
   

半導體參數(shù)分析儀RTM2開關矩陣的優(yōu)點：

1. 萬用表或鎖相放大器等傳統(tǒng)精密設備依賴于與被測設備（DUT）靜態(tài)連接的四線電阻測量方法。這種方法不可避免地會受到來自被測設備和測量設備本身的各種干擾影響。

2. 惠斯通電橋或平版印刷霍爾條圖案等測量安排可用于減少某些干擾的影響，但它們都依賴于實際電阻器或蝕刻圖案的精確和穩(wěn)定的對稱性，這在實踐中是無法實現(xiàn)的。

3. 相比之下，矩陣開關可以在時域中分離干擾的影響。其中一個例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精確區(qū)分縱向和橫向電阻，即使是在沒有光刻圖案的不規(guī)則形狀樣品上也是如此。

4. 另一個例子是某些直流儀表采用的 "自動歸零（auto-zeroing）"，以補償偏移漂移。但這還不夠。半導體參數(shù)分析儀RTM2的全矩陣切換功能及其與緊密多路交流測量的完全兼容性為我們帶來了無限可能。

5. 可以對偏移和增益漂移進行補償，從而實現(xiàn)無限的穩(wěn)定性。這里的 "無限 "是字面意思：可實現(xiàn)的精度不是 7、8 或 10 位數(shù)，而是您愿意等待的位數(shù)。在自己的實驗室里進入計量圈子吧！

6. 還可以對整個儀器的復合非線性進行補償。這樣就可以測試亞ppm 級的 I-V 非線性，從而在較低和較溫和的電流密度下看到更高階的傳輸物理。
   

半導體參數(shù)分析儀RTM2突出亮點

• 基于集成開關矩陣的可重構設備架構

• 8 個用戶自定義端口（BNC 連接器），功能（輸入、輸出和/或參考）可自由確定

• BNC 屏蔽可配置為無源接地或有源屏蔽

• 使用固定連接（開爾文或霍爾幾何）進行傳統(tǒng)的交流和直流 4 線測量

• 交替連接的交流和直流測量（電阻張量測量、范-德-波測量或電阻率測量）

• 同時測量薄膜縱向和橫向電阻的精確絕 對值，無需光刻圖案

• 常用測量模式的軟件預設，可指定任何用戶特定的切換序列

• 基于 TCP 的通信，可輕松集成到任何環(huán)境中（如 Labview、C、Python）

半導體參數(shù)分析儀RTM2主要的優(yōu)勢：

• 可替代所有用于電氣特性測量的標準設備(例如鎖定放大器、SMU、DMM）

• 通過集成的矩陣開關克服了靜態(tài) 4 點測量的局限性

• 提供范-德-波測量和電阻張量測量的預設值，并允許用戶進行全面配置

• 無需進行復雜的樣品制備（如平版印刷）。

• 可輕松連接多種不同的測量裝置（如探針臺、低溫恒溫器、真空系統(tǒng)等）

• 節(jié)省測量時間，提高樣品吞吐量

半導體參數(shù)分析儀RTM2主要的應用領域

材料研究與表征

• 固體物理 

• 半導體物理

• 磁性器件 

• 柔性電子器件

• 自旋電子學 

• 新型功能電子材料和器件

工業(yè)研發(fā)和晶片/設備測試

• 微電子設備 

• 存儲器

• 晶體管、二極管 

• LED/OLED 

• 太陽能電池 

• 顯示器、TCO 

• 傳感器

  
  

半導體參數(shù)分析儀RTM2典型測試示例：

• 在標準幾何結構（開爾文和霍爾布局）中進行超低噪聲、高穩(wěn)定性 交流和直流 4 線測量

• 對不規(guī)則、無結構薄膜樣品進行范德保開關連接 4 線測量

• 基礎物理學和計量學中的亞ppm 相對變化和非線性測量

• 零偏移霍爾 4 線測量（即使是非結構化樣品，也能準確分離縱向電阻和橫向電阻）

• 比率電阻測量，消除樣品和設備漂移

• 高驅動諧波失真測量

• 脈沖和測量例程

半導體參數(shù)分析儀RTM2規(guī)格參數(shù)：