igbt靜態(tài)測試設(shè)備價格

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

普賽斯igbt靜態(tài)測試設(shè)備特點和優(yōu)勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試；

系統(tǒng)指標(biāo)

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容       

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復(fù)雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，普賽斯分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可晶準(zhǔn)測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流晶準(zhǔn)測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。 igbt靜態(tài)測試設(shè)備價格找普賽斯儀表專員為您解答！