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    蔡司 ZEISS GeminiSEM 500場發(fā)射掃描電子顯微鏡

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    詳細(xì)介紹

    GeminiSEM 系列產(chǎn)品

    高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡


    為對任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生

    蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像,提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。


    GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,其創(chuàng)新設(shè)計的NanoVP可變壓力模式,甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;


    更強的信號,更豐富的細(xì)節(jié)

    GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。

    • 經(jīng)優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號,助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;

    • 在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度,二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm,500 V達(dá)1.0 nm,無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像,為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息;

    • 應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel),可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;

    • 創(chuàng)新設(shè)計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù),讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。


    洞察產(chǎn)品背后的科技

    Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)

    Gemini 1類型鏡筒 -延續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展

    如今,掃描電子顯微鏡(SEM)在低電壓下的高分辨成像能力,已成為其在各項應(yīng)用領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)配置。

    低電壓下的高分辨率成像能力,在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色:

      • 電子束敏感樣品

      • 不導(dǎo)電樣品

      • 獲取樣品極表面的真實形貌信息



    Gemini的革新電子光學(xué)設(shè)計,應(yīng)用高分辨率電子槍 模式、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術(shù)(選配),有效提高了在低電壓時的信號采集效率和圖像襯度。


    • 高分辨率電子槍 模式:

      • 縮小30%的出射電子束能量展寬,有效地降低像差;

      • 獲得更小的束斑。


    • Nano-twin lens物鏡:


                 優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;

                 提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。


    • Tandem decel樣品臺減速技術(shù),進(jìn)一步提高對適用樣品在低電壓甚至極低電壓下的分辨率:

      • Tandem decel減速技術(shù)將鏡筒內(nèi)減速和樣品臺偏壓減速技術(shù)相結(jié)合,有效地實現(xiàn)低著陸電壓;

      • 使用1 kV及以下更低電壓時,鏡筒內(nèi)背散射探測器的檢測效率獲得更好地增強,低電壓下的分辨率得到進(jìn)一步提高。

      • 對適用的樣品可以加載高達(dá)-5 kV的樣品臺偏壓,在低電壓下獲得更高質(zhì)量的圖片

      • 優(yōu)化靜電場和磁場的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;

      • 提高鏡筒內(nèi)Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。



    技術(shù)參數(shù):

    基本規(guī)格蔡司 GeminiSEM 500

    熱場發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h
    加速電壓
    0.02 - 30 kV
    探針電流
    3 pA - 20 nA
    (100 nA配置可選)
    存儲分辨率
    最 高達(dá)32k × 24k 像素
    放大倍率
    50 – 2,000,000
    標(biāo)配探測器
    鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器
    樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器

    可選配的

    項目





    NanoVP可變壓力模式
    高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中)

    局部電荷中和器

    鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器

    環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4)

    EDS能譜儀

    EBSD探測器(背散射電子衍射)

    可訂制特殊功能樣品臺
    環(huán)形背散射電子探測器
    陰極射線熒光探測器


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