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    硒化鎵晶體

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    產品特點

    Z-cut;5 x 5 x 0.15mm

    詳細介紹


    總覽

    GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

    注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。

    晶體規(guī)格
    5 x 5 x 0.15mm
    技術參數

    GaSe晶體的透過率曲線

    thz1.jpg

    實驗室光路系統(tǒng)

    thz2.png


    EOS測量及反演結果

    thz3.png

    產品特點

    ● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

    ● 抗損傷閾值高

    ● 非線性系數大

    ● CO2激光的SHG

    ● 多種尺寸可選

    ● 客戶導向的解決方案

    ● 接受客戶定制服務


    產品應用

    ● 太赫茲時域系統(tǒng)

    ● 太赫茲源晶體

    ● 中遠紅外氣體探測

    ● CO2激光的SHG

    ● THZ實驗光源

    ● 太赫茲成像

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