長晶爐 6/8英寸 碳化硅SiC長晶設(shè)備

PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設(shè)置合適的長晶溫度以及長晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發(fā)生明顯的分解與升華，產(chǎn)生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內(nèi)形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處，形成SiC晶體。

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長系統(tǒng)是實現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域?？梢陨L6/8英寸的晶錠。

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真空爐腔系統(tǒng)較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長的穩(wěn)定性

．智能化生長及監(jiān)測系統(tǒng)，實現(xiàn)多種制程精確定制，工藝優(yōu)化，長晶全過程實時監(jiān)控，數(shù)據(jù)可視化存檔

．新型感應(yīng)加熱線圈設(shè)計，有效提高熱場加熱的均勻性和穩(wěn)定性
．業(yè)內(nèi)首 創(chuàng)的PIM自檢系統(tǒng)，有效減免制程時間浪費
．穩(wěn)定可靠的水冷系統(tǒng)，實現(xiàn)了水道管路溫度、流量的實時監(jiān)控，保證了生長室溫場的穩(wěn)定性
．可生產(chǎn)6英寸P級碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個／cm2，電阻率達0.015-0.0280

應(yīng)用

高功率IGBT

智能逆變器

射頻器件

5G通訊

風力發(fā)電

新能源汽車

高動力系統(tǒng)

核能