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    ICP等離子刻蝕設(shè)備 刻蝕機(jī)品牌廠家

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    超邁光電ICP等離子刻蝕設(shè)備:
    反應(yīng)離子刻蝕機(jī)主要用于介質(zhì)薄膜干法刻蝕,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

    詳細(xì)介紹

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    超邁光電ICP等離子刻蝕

    反應(yīng)離子刻蝕機(jī)主要用于介質(zhì)薄膜干法刻蝕,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

    產(chǎn)品詳情

    1.氣體種類:O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

    2.基片尺寸:zui大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

    3.射頻電源     ICP電源:13.56MHz,1400W; 偏壓電源:13.56MHz,800W

    4.工藝溫度:10℃到80℃可控

    5.傳送模式:自動(dòng)Loadlock傳送系統(tǒng)



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