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上海屹持光電單光子計(jì)數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm,可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi特有的高性能主動(dòng)YZ電路,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測,并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩YZ,從而將Si APD的性能發(fā)揮到優(yōu)秀狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%,暗計(jì)數(shù)200-2000 cps,死時(shí)間小于50 ns。
SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號的有效光敏探測面積ZG可達(dá)500 um,單光子計(jì)數(shù)信號在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號,并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。
APD通過模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下,以獲得優(yōu)秀的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制??刂凭瓤蛇_(dá)±0.2 ℃。
技術(shù)特點(diǎn):
高探測效率:65%@700 nm; 500 um光敏面積;
TTL數(shù)字信號輸出; 低暗計(jì)數(shù);
低后脈沖; 低時(shí)間抖動(dòng);
應(yīng)用領(lǐng)域:
熒光測量; 激光測距;
量子通信; 光譜測量;
光子關(guān)聯(lián); 自適應(yīng)光學(xué);
Fig1. 量子效率 Fig2. Si單光子探測器
Fig3. Si單光子探測器結(jié)構(gòu)圖
產(chǎn)品參數(shù):
參數(shù)規(guī)格 參數(shù)
值
單位
供電電壓*1
22 -28
V
供電電流
0.5
A
光譜響應(yīng)范圍
200 ----1060
nm
探測效率
@200 nm
@700 nm
@850 nm
@1060 nm
2
65
45
3
%
暗計(jì)數(shù)
200 -2000
cps
死時(shí)間
50
ns
后脈沖
3 - 8
時(shí)間抖動(dòng)
300 - 500
ps
飽和計(jì)數(shù)率*2
10
Mcps
光敏面積
500
um
APD制冷溫度
-20
℃
工作溫度
-15 - +50
輸出信號電平
LVTTL
輸出信號脈寬
530
門脈沖輸入電平
Disable=LVTTL low
Enable=LVTTL high
0-0.4
2 -3.3
產(chǎn)品說明:
1. 不正確的電壓可能損壞模塊,應(yīng)保證接入電源不高于28V,并可提供足夠電流。
2. APD屬于高靈敏光電探測器件,在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號強(qiáng)度,過高的光強(qiáng)可能損壞APD,這種損害可能降低APD的探測靈敏度,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿。
3. 在特殊的應(yīng)用場景下,應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過50 ℃,過高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升,從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高。
4. SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會(huì)影響模塊的ZD計(jì)數(shù)率,當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí),ZD計(jì)數(shù)率為10Mcps,如您的應(yīng)用對死時(shí)間設(shè)定有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。
5. 同樣,輸出信號的脈寬也會(huì)影響ZD計(jì)數(shù)率,典型脈寬為30 ns,如您的應(yīng)用對輸出信號有特別要求,請?jiān)谟嗁彆r(shí)與我們聯(lián)系。
6. SPDSi支持空間和光纖接口接入。
單光子探測器選型:
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