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德國耐馳納秒級(jí)熱反射法薄膜導(dǎo)熱儀NanoTR
- 品牌:德國耐馳
- 型號(hào): NanoTR / PicoTR
- 產(chǎn)地:歐洲 德國
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):面議
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蘇州科帝斯懷特工業(yè)設(shè)備有限公司
更新時(shí)間:2025-03-29 13:33:30
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銷售范圍售全國
入駐年限第5年
營業(yè)執(zhí)照已審核
- 同類產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)室熱分析儀器(14件)
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產(chǎn)品特點(diǎn)
- 熱反射(Thermo-Reflectance)方法基于超高速激光閃射系統(tǒng),可測(cè)量基片上金屬、陶瓷、聚合物薄膜的熱物性參數(shù),如熱擴(kuò)散系數(shù)(Thermal Diffusivity)、熱導(dǎo)率(Thermal Conductivity)、吸熱 系數(shù)(Thermal Effusivity)和界面熱阻。
詳細(xì)介紹
型號(hào): NanoTR / PicoTR 品牌: NETZSCH(耐馳) 產(chǎn)地: 德國 產(chǎn)品別名: 皮秒級(jí)熱反射法薄膜導(dǎo)熱儀PicoTR
脈沖激光熱反射法薄膜導(dǎo)熱儀檢測(cè)方法: 熱反射法 產(chǎn)品介紹測(cè)量原理
熱反射(Thermo-Reflectance)方法基于超高速激光閃射系統(tǒng),可測(cè)量基片上金屬、陶瓷、聚合物薄膜的熱物性參數(shù),如熱擴(kuò)散系數(shù)(Thermal Diffusivity)、熱導(dǎo)率(Thermal Conductivity)、吸熱 系數(shù)(Thermal Effusivity)和界面熱阻。
由于激光閃射時(shí)間僅為納秒(ns)量級(jí),甚至可達(dá)到皮秒(ps)量級(jí),此系統(tǒng)可測(cè)量厚度低至10nm的薄膜。同時(shí),系統(tǒng)提供不同的測(cè)量模式,以適應(yīng)于不同的基片情況(透明/不透明)。
該方法符合國際標(biāo)準(zhǔn):
JIS R 1689:通過脈沖激光熱反射方法測(cè)量精細(xì)陶瓷薄膜的熱擴(kuò)散系數(shù);
JIS R 1690:陶瓷薄膜和金屬薄膜界面熱阻的測(cè)量方法。發(fā)展簡史
1990 年,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所/日本國家計(jì)量院(AIST/NMIJ)發(fā)明熱反射法,測(cè)量薄膜導(dǎo)熱性能。
2008 年,AIST 設(shè)立 PicoTherm 公司。
2010 年,PicoTherm 公司推出納秒級(jí)熱反射系統(tǒng) NanoTR。
2012 年,PicoTherm 公司推出皮秒級(jí)熱反射系統(tǒng) PicoTR。
2014 年,PicoTherm 公司和 NETZSCH 公司建立戰(zhàn)略合作。NETZSCH 將負(fù)責(zé) PicoTherm 產(chǎn)品在銷售和服務(wù)。
測(cè)量模式
RF 測(cè)量模式 FF 測(cè)量模式 主激光源從反面加熱薄膜,檢測(cè)激光從正面測(cè)量薄膜的溫度升高過程,從而計(jì)算薄膜的導(dǎo)熱性能參數(shù)。此模式適用于透明基片。 主激光源從正面加熱薄膜,檢測(cè)激光從正面測(cè)量薄膜的溫度下降過程,從而計(jì)算薄膜的導(dǎo)熱性能參數(shù)。此模式適用于不透明基片。 NanoTR / PicoTR - 技術(shù)參數(shù)
技術(shù)參數(shù) NanoTR PicoTR 溫度范圍 RT,RT … 300°C(選件) RT,RT … 500°C(選件) 真空度 N/A 10-6 mbar(選件) 測(cè)量模式 RF/FF RF/FF 樣品尺寸 10x10 ... 20x20 mm 10x10 ... 20x20 mm 薄膜厚度 RF:
金屬:1 ... 20μm
陶瓷:300nm ... 5μm
聚合物:30nm ... 2μm
FF:> 1μmRF:
金屬:100nm ... 900nm
陶瓷:10nm ... 300nm
聚合物:10nm ... 100nm
FF:> 100nm基片厚度 < 1mm < 1mm 熱擴(kuò)散溫升時(shí)間 10ns ... 10μs 10ps ... 10ns 熱擴(kuò)散系數(shù) 0.01…1000 mm2/s 0.01…1000 mm2/s 測(cè)量精度 5%(RF), 10%(FF) 5%(RF), 10%(FF) 操作系統(tǒng) Windows 7 Windows 7 NanoTR / PicoTR - 應(yīng)用實(shí)例
TaOx_5p 薄膜RF 模式下,不同厚度 TaOx_5p(5%氧化物)薄膜的測(cè)量曲線。可見即使薄膜厚度低至 10nm,仍然可以得到良好的信噪比。且不同厚度的薄膜得到的面熱擴(kuò)散時(shí)間數(shù)據(jù)符合線性關(guān)系。
不同厚度 TaOx_5p 薄膜樣品的原始溫升信號(hào)對(duì)比
面熱擴(kuò)散時(shí)間 vs. 樣品厚度關(guān)系圖
以下兩圖分別使用 RF 與 FF 模式,對(duì)石英基片上的 90nm 厚的 Mo 薄膜進(jìn)行了測(cè)試。兩者的測(cè)試結(jié)果完全一致,平均值為 16.0 mm2/s。
RF 模式測(cè)量結(jié)果
FF 模式測(cè)量結(jié)果
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