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    PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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    產(chǎn)品特點(diǎn)

    - Mo,Ag和In量子效率> 90%
    - 直接檢測(cè)Z清晰的空間分辨率
    - 沒(méi)有讀出噪音,也沒(méi)有黑暗信號(hào)達(dá)到ZG精度
    - 高動(dòng)態(tài)范圍
    - 熒光背景YZ
    - ZG的計(jì)數(shù)率
    - 同步輻射級(jí)別的輻射硬度
    - 免維護(hù)運(yùn)行
    - 高可靠性:沒(méi)有容易發(fā)生故障的密封,無(wú)需冷卻至室溫以下

    詳細(xì)介紹


    產(chǎn)品介紹:
    1、產(chǎn)品特點(diǎn):

     PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘(CdTe)傳感器中直接檢測(cè)硬X射線的優(yōu)點(diǎn)。
          與閃爍體的檢測(cè)器相比,混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率。 CdTe為Mo,Ag和In輻射提供接近100%的吸收效率。結(jié)合無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù),這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平。
          實(shí)驗(yàn)室中的X射線源,尤其是硬X射線的X射線源比同步加速器弱得多,因此需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào),由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音,PILATUS3 R探測(cè)器超過(guò)了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性,例如復(fù)位噪聲和非線性電荷響應(yīng)。相反,由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供了最快的計(jì)數(shù)能力,結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線性范圍,完全兼容所有實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用和先進(jìn)的X射線源。
           具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用(如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析)依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù),PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的獨(dú)特組合,并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的ZJ匹配。

    2、核心優(yōu)勢(shì)
         - Mo,Ag和In量子效率> 90%
         - 直接檢測(cè)最清晰的空間分辨率
         - 沒(méi)有讀出噪音,也沒(méi)有黑暗信號(hào)達(dá)到最高精度
         - 高動(dòng)態(tài)范圍
         - 熒光背景YZ
         - 高的計(jì)數(shù)率
         - 同步輻射級(jí)別的輻射硬度
         - 免維護(hù)運(yùn)行
         - 高可靠性:沒(méi)有容易發(fā)生故障的密封,無(wú)需冷卻至室溫以下


     3、應(yīng)用領(lǐng)域
         - 電荷密度分析
         - 對(duì)分布函數(shù)(PDF)分析
         - 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
         - 高壓/高溫XRD
         - 關(guān)鍵尺寸SAXS
         - 計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)
         - 無(wú)損檢測(cè)(NDT)

    4、技術(shù)參數(shù): 

    PILATUS3   R CdTe

    1M

    300K

    300K-W

    100K

    探測(cè)器模塊數(shù)量

    2 × 5

    1 × 3

    3 × 1

    1 × 1

    有效面積:寬×高   [mm2]

    168.7 x 179.4

    83.8 × 106.5

    253.7 x 33.5

    83.8 x 33.5

    像素大小 [μm2]

    172 x 172

    總像素?cái)?shù)量

    981 x 1043 

    487 × 619

    1475 × 195

    487 x 195

    間隙寬度, 水平/垂直(像素)

    *每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素

    7* / 17

    - */ 17

    7* / -

    -* / -

    非靈敏區(qū) [ % ]

    7.8

    5.7

    1.1

    0.2

    缺陷像素

    < 0.1%

    最 大幀頻 [Hz]

    5

    20

    20

    20

    讀出時(shí)間 [ms]

    7

    點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

    1 pixel(FWHM)

    計(jì)數(shù)器深度

    20 bits(1,048,576 counts)

    功耗 [W]

    165

    30

    30

    30

    尺寸(WHD)[mm3]

    265 x 286 x 455

    158 x 193 x 262

    280 x 62 x 296

    114 x 69 x 118 (探頭)

    重量 [kg]

    25

    7.5

    7.0

    0.9(探頭)

    模塊冷卻

    水冷

    水冷

    水冷

    水冷

    外接觸發(fā)電壓

    5V TTL

    5V TTL

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