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    半自動12英寸快速退火爐RTP

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    設備規(guī)格:

    適應于 2英寸-12英寸 晶圓或者至多支持 300mmx300mm 樣品;

    退火溫度范圍 300℃-1000℃;

    升溫速率 ≦100℃/sec(裸片);

    溫度均勻性 ≦±1%;

    真空腔體(可選配常壓腔體或正壓腔體);

    冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃;

    MFC控制,3-5路制程氣體。

     

    應用領域:

    快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);

    離子注入/接觸退火;

    金屬合金;

    熱氧化處理;

    化合物合金(砷化鎵、氮化物等);

    多晶硅退火;

    太陽能電池片退火;

    高溫退火;

    高溫擴散。


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