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2025-01-10 17:04:57視軸穩(wěn)定技術(shù): 視軸穩(wěn)定技術(shù)是一種用于確保成像系統(tǒng)或觀測(cè)設(shè)備視線穩(wěn)定的技術(shù)。它通過(guò)機(jī)械或電子方式補(bǔ)償外部擾動(dòng)，如震動(dòng)、風(fēng)力等，以保持觀測(cè)方向或成像視軸的恒定。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于軍事瞄準(zhǔn)系統(tǒng)、航空攝影、天文觀測(cè)、醫(yī)療成像等領(lǐng)域，能顯著提升目標(biāo)跟蹤、圖像采集的精度和穩(wěn)定性。

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視軸穩(wěn)定技術(shù)資訊

西安光機(jī)所在精度跟瞄光學(xué)系統(tǒng)視軸穩(wěn)定技術(shù)上又取得新進(jìn)展

光學(xué)觀瞄系統(tǒng)是一種安裝在航空器上的具有導(dǎo)航、目標(biāo)搜索、瞄準(zhǔn)以及穩(wěn)定跟蹤的光學(xué)觀瞄系統(tǒng)，它能滿足于復(fù)雜環(huán)境下的各種民事領(lǐng)域的環(huán)境監(jiān)測(cè)以及軍事領(lǐng)域的精準(zhǔn)打擊等需求。

1959
2023-01-24
跟瞄光學(xué)系統(tǒng) 視軸穩(wěn)定技術(shù)

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視軸穩(wěn)定技術(shù)問(wèn)答

2024-11-25 15:53:15 火焰光度計(jì)如何校準(zhǔn)？確保運(yùn)行穩(wěn)定？: 火焰光度計(jì)作為一種重要的實(shí)驗(yàn)室分析儀器，廣泛應(yīng)用于化學(xué)分析、生物醫(yī)學(xué)研究、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。它通過(guò)火焰的燃燒過(guò)程檢測(cè)元素的光譜特性，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)鉀、鈉等金屬元素的定量分析。長(zhǎng)期使用或操作不當(dāng)可能導(dǎo)致設(shè)備性能下降甚至故障，影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此，火焰光度計(jì)的維修與維護(hù)顯得尤為重要。本文將全面解析火焰光度計(jì)常見故障的原因，提供高效的維修方法，并分享延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命的建議，幫助用戶保持儀器的佳性能狀態(tài)?；鹧婀舛扔?jì)常見故障分析點(diǎn)火失敗點(diǎn)火失敗是火焰光度計(jì)常見問(wèn)題之一，通常由燃?xì)庀到y(tǒng)堵塞或電極老化引起。燃?xì)夤艿乐械臍堅(jiān)赡茏璧K氣體正常流動(dòng)，導(dǎo)致火焰無(wú)法點(diǎn)燃。點(diǎn)火電極的磨損或積碳現(xiàn)象也會(huì)降低點(diǎn)火成功率。檢測(cè)信號(hào)不穩(wěn)定當(dāng)儀器輸出信號(hào)波動(dòng)較大時(shí)，可能是由于光電探測(cè)器老化、光路系統(tǒng)污染或者氣流波動(dòng)造成的。特別是在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，空氣中的灰塵或油污容易附著在光學(xué)部件表面，導(dǎo)致檢測(cè)靈敏度降低。測(cè)量值偏差明顯如果火焰光度計(jì)測(cè)得的結(jié)果與實(shí)際值差距較大，需檢查樣品溶液的濃度、儀器校準(zhǔn)狀態(tài)以及燃?xì)夂椭細(xì)獗壤欠窈侠?。校?zhǔn)曲線的偏移或噴嘴的磨損也可能是造成誤差的主要原因。高效維修方法清理和更換燃?xì)夤艿?定期檢查燃?xì)夤艿?，清除可能存在的堵塞物，并在必要時(shí)更換老化的管道配件。確保使用符合儀器要求的高純氣體，以減少雜質(zhì)的堆積。維護(hù)光路系統(tǒng) 光路系統(tǒng)的清潔至關(guān)重要。使用無(wú)塵布和專業(yè)清潔劑擦拭光學(xué)部件，避免劃傷鏡面。定期檢查光電探測(cè)器是否需要校準(zhǔn)或更換。校準(zhǔn)儀器與優(yōu)化設(shè)置對(duì)儀器進(jìn)行定期校準(zhǔn)是確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性的關(guān)鍵。用戶需按照廠商提供的校準(zhǔn)方法，選擇合適的標(biāo)準(zhǔn)溶液并嚴(yán)格按照操作流程進(jìn)行。調(diào)整火焰的高度和氣體比例，確保燃燒穩(wěn)定。延長(zhǎng)火焰光度計(jì)使用壽命的建議規(guī)范操作在日常使用中，嚴(yán)格按照儀器使用手冊(cè)進(jìn)行操作，避免長(zhǎng)時(shí)間超負(fù)荷運(yùn)行。定期檢查電源和接地裝置的連接狀態(tài)，確保供電穩(wěn)定。定期保養(yǎng) 制定詳細(xì)的保養(yǎng)計(jì)劃，包括清理燃燒室、校準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)以及更換易耗部件等。通過(guò)預(yù)防性維護(hù)，可以有效減少突發(fā)故障的發(fā)生。選擇優(yōu)質(zhì)耗材使用高質(zhì)量的樣品杯、噴嘴和燃?xì)猓梢越档鸵蚝牟膯?wèn)題導(dǎo)致的儀器損耗。

2024-11-26 15:58:02原子熒光光度計(jì)如何維護(hù)？有哪些穩(wěn)定儀器的重要措施？: 原子熒光光度計(jì)（Atomic Fluorescence Spectrometer, AFS）是一種用于元素分析的高靈敏度儀器，廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品安全、化學(xué)分析等領(lǐng)域。由于其精密的工作原理與高度的靈敏度，定期的維護(hù)和保養(yǎng)對(duì)于延長(zhǎng)儀器使用壽命和確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性至關(guān)重要。一、定期清潔和校準(zhǔn)原子熒光光度計(jì)的工作原理是通過(guò)激發(fā)樣品中元素的熒光發(fā)射來(lái)檢測(cè)其濃度。在實(shí)際使用過(guò)程中，樣品的灰塵、化學(xué)物質(zhì)以及使用環(huán)境中的雜質(zhì)都可能對(duì)儀器造成污染。定期清潔儀器的各個(gè)部件，如燈源、光學(xué)系統(tǒng)、進(jìn)樣系統(tǒng)等，是保持儀器性能的基礎(chǔ)。特別是進(jìn)樣系統(tǒng)，若長(zhǎng)時(shí)間不清潔，樣品殘留物會(huì)影響其傳輸效率，導(dǎo)致分析結(jié)果偏差。光度計(jì)的校準(zhǔn)也非常重要。每次更換光源或進(jìn)行大范圍測(cè)試時(shí)，都應(yīng)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)樣品校準(zhǔn)，確保儀器的檢測(cè)準(zhǔn)確性。通常，可以通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行校準(zhǔn)，并根據(jù)需要調(diào)整儀器參數(shù)，以保證結(jié)果的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。二、定期檢查光源和激發(fā)源光源是原子熒光光度計(jì)中的核心組件之一，不同的元素需要不同類型的光源。在使用過(guò)程中，光源的亮度和穩(wěn)定性可能會(huì)出現(xiàn)衰減或不均勻，這會(huì)影響到熒光信號(hào)的強(qiáng)度。因此，定期檢查和更換光源是確保儀器性能穩(wěn)定的必要措施。三、保持良好的電氣連接原子熒光光度計(jì)的電氣系統(tǒng)是儀器穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。如果電氣連接不良，可能會(huì)導(dǎo)致儀器無(wú)法正常啟動(dòng)或工作不穩(wěn)定。定期檢查電源線、接頭和電路板的連接情況，確保所有電氣組件的接觸良好，避免因電氣故障導(dǎo)致儀器停機(jī)或出現(xiàn)偏差。四、避免過(guò)載與樣品污染原子熒光光度計(jì)的檢測(cè)精度高度依賴于樣品的純凈度和測(cè)量條件。在進(jìn)行分析時(shí)，必須避免樣品中存在過(guò)量的干擾元素或污染物。過(guò)高的濃度可能會(huì)導(dǎo)致儀器過(guò)載，影響儀器的靈敏度和線性響應(yīng)。為了避免樣品對(duì)儀器的污染，進(jìn)樣系統(tǒng)應(yīng)定期清洗。使用合適的溶劑進(jìn)行清洗，以去除殘留的化學(xué)物質(zhì)或分析樣品中的雜質(zhì)。定期檢查進(jìn)樣管道和泵系統(tǒng)的工作狀態(tài)，確保其正常運(yùn)行。五、溫濕度控制和環(huán)境管理原子熒光光度計(jì)的工作環(huán)境對(duì)儀器性能有著不可忽視的影響。溫度和濕度的變化可能會(huì)導(dǎo)致儀器內(nèi)部光學(xué)元件的膨脹或收縮，從而影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。六、及時(shí)記錄和反饋問(wèn)題在儀器使用過(guò)程中，應(yīng)記錄每次維護(hù)、清潔和故障的詳細(xì)信息，并反饋給維護(hù)人員。這樣不僅能及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題，還可以為未來(lái)的維護(hù)提供重要參考。通過(guò)建立完善的儀器管理檔案，可以確保儀器長(zhǎng)期處于良好的工作狀態(tài)。

2024-11-13 15:24:44柱后衍生系統(tǒng)功能核查如何進(jìn)行？如何優(yōu)化性能確保系統(tǒng)穩(wěn)定？: 柱后衍生系統(tǒng)是現(xiàn)代化建筑、工程項(xiàng)目中的關(guān)鍵技術(shù)之一，它涉及到建筑結(jié)構(gòu)的后續(xù)處理及衍生功能的開發(fā)。該系統(tǒng)的作用是對(duì)已完成的基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行功能延伸、提升與優(yōu)化核查的主要內(nèi)容結(jié)構(gòu)完整性核查柱后衍生系統(tǒng)的核心功能之一是增強(qiáng)原有建筑結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。因此，在核查過(guò)程中，首先需要評(píng)估柱后衍生系統(tǒng)對(duì)整體建筑結(jié)構(gòu)的影響，包括承載力、抗震性等方面。檢查衍生部分是否對(duì)原有結(jié)構(gòu)造成過(guò)大負(fù)荷，確保系統(tǒng)不會(huì)因設(shè)計(jì)缺陷或施工問(wèn)題導(dǎo)致建筑結(jié)構(gòu)出現(xiàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象。功能適配性檢查柱后衍生系統(tǒng)的設(shè)計(jì)往往是為了滿足建筑物在后期使用過(guò)程中新增的功能需求。因此，功能適配性檢查是核查的另一個(gè)重要內(nèi)容。這一環(huán)節(jié)需要驗(yàn)證系統(tǒng)能否有效支持新增的使用需求，如空間利用率的提升、設(shè)施擴(kuò)展以及建筑內(nèi)外部功能的優(yōu)化等。系統(tǒng)集成與協(xié)調(diào)性測(cè)試柱后衍生系統(tǒng)常常需要與建筑中的其他系統(tǒng)進(jìn)行集成與協(xié)同工作，例如電氣系統(tǒng)、給排水系統(tǒng)等。在功能核查過(guò)程中，必須確保衍生系統(tǒng)與原有系統(tǒng)之間的協(xié)同工作不會(huì)出現(xiàn)沖突或不兼容現(xiàn)象。此項(xiàng)檢查的目的是確保各系統(tǒng)間的無(wú)縫對(duì)接，避免因接口問(wèn)題引起的故障或效率下降。安全性評(píng)估與風(fēng)險(xiǎn)控制任何系統(tǒng)的應(yīng)用都必須以安全為前提。柱后衍生系統(tǒng)的功能核查必須對(duì)可能存在的安全隱患進(jìn)行詳細(xì)評(píng)估，包括電氣安全、結(jié)構(gòu)安全、防火安全等方面。對(duì)于建筑設(shè)計(jì)中的突發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，還需要制定應(yīng)急預(yù)案，確保在極端情況發(fā)生時(shí)，衍生系統(tǒng)能保持穩(wěn)定的運(yùn)行。核查流程與標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行柱后衍生系統(tǒng)功能核查時(shí)，首先要制定詳細(xì)的核查方案，明確核查的目標(biāo)、方法與標(biāo)準(zhǔn)。通常，核查流程包括以下幾個(gè)步驟：數(shù)據(jù)收集與分析收集與柱后衍生系統(tǒng)相關(guān)的設(shè)計(jì)文件、施工圖紙和設(shè)備技術(shù)資料。通過(guò)對(duì)這些資料的分析，了解系統(tǒng)的設(shè)計(jì)初衷、施工工藝以及預(yù)期功能?，F(xiàn)場(chǎng)檢查與實(shí)地測(cè)試核查團(tuán)隊(duì)需對(duì)實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行實(shí)地檢查，確保施工與設(shè)計(jì)符合要求?，F(xiàn)場(chǎng)測(cè)試包括對(duì)衍生系統(tǒng)性能的模擬測(cè)試，檢測(cè)其在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。問(wèn)題診斷與整改建議如果在核查過(guò)程中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，應(yīng)進(jìn)行問(wèn)題診斷，分析問(wèn)題原因，并提出切實(shí)可行的整改方案。這包括調(diào)整設(shè)計(jì)方案、優(yōu)化施工工藝或更換不合格設(shè)備等。評(píng)估與報(bào)告核查完成后，需要對(duì)整個(gè)核查過(guò)程進(jìn)行總結(jié)，撰寫詳細(xì)的核查報(bào)告，明確提出存在的隱患與解決方案，確保系統(tǒng)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

2024-12-12 15:49:27ph計(jì)維護(hù)保養(yǎng)記錄有什么用？如何保障設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行？: PH計(jì)作為實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)應(yīng)用中廣泛使用的儀器，它主要用于檢測(cè)液體的酸堿度。為了確保PH計(jì)能夠長(zhǎng)時(shí)間提供準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果，定期的維護(hù)和保養(yǎng)是不可或缺的。PH計(jì)維護(hù)的重要性PH計(jì)的工作原理雖然相對(duì)簡(jiǎn)單，但它所涉及的測(cè)量精度要求非常高。PH計(jì)的核心部件包括電極、傳感器、顯示裝置等，這些部件會(huì)因?yàn)殚L(zhǎng)時(shí)間使用或外部環(huán)境的影響而發(fā)生不同程度的損耗。特別是PH電極，它會(huì)隨著使用的次數(shù)增多而出現(xiàn)污染、老化等問(wèn)題，直接影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此，制定詳細(xì)的PH計(jì)維護(hù)保養(yǎng)記錄，并定期檢查設(shè)備的工作狀態(tài)，是保證設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。PH計(jì)維護(hù)的關(guān)鍵內(nèi)容電極的保養(yǎng)與檢查PH計(jì)關(guān)鍵的部件是電極。電極在使用過(guò)程中，容易受到污染或損壞。定期檢查電極的外觀和性能，清洗電極，避免沉積物積累，能夠有效延長(zhǎng)電極的使用壽命。在清潔電極時(shí)，通常使用PH標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行校準(zhǔn)，避免使用過(guò)多的清洗劑或化學(xué)物質(zhì)，以免損壞電極。定期校準(zhǔn)校準(zhǔn)是保證PH計(jì)測(cè)量準(zhǔn)確性的基本步驟。每次使用之前和使用一段時(shí)間后，都應(yīng)進(jìn)行一次校準(zhǔn)。常見的校準(zhǔn)方法是使用已知PH值的標(biāo)準(zhǔn)溶液，調(diào)整PH計(jì)的讀數(shù)。校準(zhǔn)的頻率與PH計(jì)的使用頻率和精度要求有關(guān)。通常，實(shí)驗(yàn)室或工業(yè)場(chǎng)合應(yīng)每個(gè)月或每季度進(jìn)行一次校準(zhǔn)。檢查連接線和顯示裝置除了電極之外，PH計(jì)的連接線、顯示屏等部件同樣需要定期檢查。連接線若出現(xiàn)斷裂或老化，可能會(huì)導(dǎo)致PH計(jì)無(wú)法正常工作。顯示裝置如果出現(xiàn)異常顯示，可能是內(nèi)部電路或傳感器出現(xiàn)了問(wèn)題，這時(shí)需要及時(shí)進(jìn)行維修或更換。環(huán)境因素的影響PH計(jì)的準(zhǔn)確性還受到環(huán)境溫度、濕度等因素的影響。在進(jìn)行PH計(jì)使用前，應(yīng)確保設(shè)備周圍的環(huán)境適宜，避免極端溫度或高濕度對(duì)設(shè)備產(chǎn)生不良影響。PH計(jì)使用后，應(yīng)該及時(shí)清理，并妥善存放，避免設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間處于潮濕或高溫環(huán)境中。制定PH計(jì)維護(hù)保養(yǎng)記錄為了確保PH計(jì)能夠得到及時(shí)和科學(xué)的保養(yǎng)，制定詳細(xì)的維護(hù)保養(yǎng)記錄是非常必要的。維護(hù)記錄可以幫助工作人員追蹤設(shè)備的使用情況、保養(yǎng)歷史、校準(zhǔn)情況等，避免因疏忽而導(dǎo)致設(shè)備故障。記錄的存在也便于對(duì)設(shè)備進(jìn)行故障分析和性能評(píng)估，為今后的維護(hù)工作提供數(shù)據(jù)支持。每一份PH計(jì)的維護(hù)記錄應(yīng)包括以下內(nèi)容：設(shè)備使用時(shí)間和使用頻率每次清潔、校準(zhǔn)、電極更換的時(shí)間和方式檢查過(guò)程中的問(wèn)題及解決方案設(shè)備故障的排查記錄及維修情況

2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù): 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來(lái)進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來(lái)使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽(yáng)極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對(duì)反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場(chǎng), 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下, 被高頻電場(chǎng)加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過(guò)程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場(chǎng)方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。刻蝕氣體的選擇對(duì)于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對(duì)其下層的柵氧化膜具有高的選擇比?？涛g單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對(duì)于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過(guò)程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來(lái)的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對(duì)于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對(duì)Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過(guò)程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過(guò)腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過(guò)底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過(guò)調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過(guò)向晶片盤片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過(guò)剝離電子來(lái)電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過(guò)轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來(lái)敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。